公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 该工艺本身采用先进的外延沉积技术，就像用气体绘画一样。硅烷和锗烷（含硅和锗的气体）在晶圆 表面分解，留下精确的纳米薄层。控制每层的厚度、成分和均匀性至关重要；即使是微小的偏差也会 在整个堆叠中传播，从而放大缺陷。 那么，为什么要付出这么多努力呢？在传统的 DRAM 中，存储单元是平面布局的，这限制了密度。 而垂直堆叠（3D）则可以在相同的占用空间内容纳更多的存储单元，从而在不增大芯片尺寸的情况 下提高存储容量。成功构建 120 个双层结构表明垂直扩展是可以实现的，这将使我们更接近下一代 高密度存储设备。 想象一下，每一层双层结构就像摩天大楼的一层，如果其中一层错位，整栋楼就会变得不稳定。通过 控制应变并保持各层结构均匀，研究人员有效地建造了一座由硅和硅锗组成的纳米级摩天大楼，每单 位面积可容纳数千个存储单元。 其影响远不止内存芯片。精确多层结构的生长技术可以推动3D晶体管、堆叠逻辑器件，甚至量子计 算架构的发展，在这些架构中，原子级层特性的控制至关重要。三星已经将3D DRAM列入其发展规 划，甚至为此设立了专门的研发机构。 来源 ：内容 编译自 tomshar ...