Q&A 国内 DRAM 技术演进路径及其对产业链的影响是什么？ 国内 DRAM 技术演进路径将采用 4F² 与 CBA（Chip-By-Chip Assembly）相 结合的技术。这一技术趋势在海外市场也得到认可，但由于国内在制程相关关 键设备方面面临从海外获取的困难，国内在这条技术路径上走得更为超前。 4F² 存储单元架构创新是通过缩小存储单元面积来提升整体存储密度，目前已 成为全球 DRAM 发展的主要方向。 CBA 技术则是将逻辑电路和存储单元阵列 分别制造在不同晶圆上，这种方法已经被国内长江存储率先应用，并且未来 NAND Flash 的发展也会朝着 300 多层的方向演进，凯霞、三星和海力士等公 司也在采用这一工艺。Yola 预计新的 4F² 架构下的 DRAM 将搭配使用 CBA 技 术，将存储单元阵列和逻辑电路部分拆成两片晶圆进行制造。 这种技术对于国 内整个产业链带来了许多机遇，包括逻辑晶圆代工和相关设备需求的大幅增加。 CBA 技术通过分离制造存储单元阵列和逻辑电路，避免高温处理对 CMOS 逻辑部分造成损害，减小芯片面积，缩短生产周期，并降低产线 复杂度和成本。 CF Square 技术采 ...