公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 由于预计高昂的价格将推动存储器产量激增，以满足人工智能服务器日益增长的需求，芯片制造设备 制造商东京电子有望从创纪录的资本投资和研发支出中获益。 去年秋季内存价格飙升，基准DRAM现货价格较上年同期上涨了近十倍。东京电子社长河合俊树此前 已预料到这一波价格上涨。 "我们可能正在进入一个长期的超级周期，"他指的是需求快速增长的时期。 随着人工智能的广泛应用，为了满足这些系统巨大的处理能力需求，全球数据中心如雨后春笋般涌 现，这也催生了对芯片的巨大需求。河合预计，从今年开始，存储器制造商将采购芯片制造设备以满 足这一需求。 对高带宽内存的投资正在迅速增长。英伟达等公司的人工智能半导体采用多颗HBM芯片，供应日益 紧张。韩国SK海力士和三星电子正在斥资数十亿美元建设生产设施，预计将于2027年至2028年左右 投产。 东京电子将希望寄托于用于在晶圆上形成电路的蚀刻设备。HBM采用多层堆叠的DRAM芯片，随着 性能的提升，层数也会增加。这需要更多的步骤来连接这些芯片，东京电子预计这将提升对相关工艺 系统的需求。 该公司在截至去年 3 月的财年中，DRAM 互连蚀刻系统的 ...

Group 1: Samsung Electronics - Samsung Electronics reported a record operating profit of 20 trillion KRW (approximately 96.5 billion RMB) for Q4 2025, marking a significant year-on-year increase of 208%, exceeding market expectations [2][4] - The company's Q4 sales rose by 23% year-on-year to 93 trillion KRW, continuing a trend of quarterly sales surpassing 80 trillion KRW for two consecutive quarters [2] - The surge in performance is attributed to supply constraints and increased demand driven by AI, leading to higher prices for traditional memory chips, with DRAM prices rising over 30% and NAND flash prices increasing by about 20% [2][3] Group 2: Market Trends and Predictions - Analysts predict that the price of DDR5 memory will continue to rise, with a forecasted increase of 40% in Q1 2026 and an additional 20% in Q2 2026 [2] - The shift towards AI-related chip production is causing a squeeze on traditional memory chip capacity, while demand for both traditional and high-end chips is surging due to AI model training and operation [3] - Samsung's advancements in high-bandwidth memory (HBM) are exceeding market expectations, with anticipated HBM4 shipments expected to double in 2026 [3][4] Group 3: TSMC Developments - TSMC is experiencing high demand for its 3nm process technology, which remains in short supply, leading to a temporary halt in new 3nm project launches [5][6] - TSMC's 2nm process is projected to achieve a wafer production capacity 1.5 times that of the 3nm process, with expectations to capture over 95% of the global AI accelerator market [6] - The company plans aggressive production targets, aiming for a monthly wafer capacity of 140,000 for the 2nm process by the end of 2026, driven by strong demand from AI data centers [6] Group 4: Financial Outlook - Morgan Stanley forecasts a 30% year-on-year revenue growth for TSMC in 2026, with continued growth of over 20% in 2027, primarily fueled by AI data center demand [6] - The compound annual growth rate (CAGR) for AI revenue in data centers has been revised upward from 53% to 57%, with expectations that AI business will account for over 40% of TSMC's total revenue by 2029 [6]

今日（1月8日），全球芯片巨头三星电子最新披露的业绩显示，2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元（约合人民币965亿元），同比大幅飙涨 208%，高于市场预期。分析指出，这一业绩主要受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮。 另外，台积电也传来利好催化。据最新消息，台积电3nm制程持续供不应求，有业内人士透露，台积电今年除调高3nm报价外，已暂时停 止3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的报告中，大幅上调了台积电的目标价。 四季度营业利润飙涨208% 1月8日，三星电子发布了2025年第四季度初步业绩，其中显示，公司2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元，较上年同期大幅增长 208%，高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。 初步业绩报告显示，三星电子第四季度销售额同比增长23%，至93万亿韩元。这是三星单季销售额连续两个季度突破80万亿韩元，2025 年第三季度的销售额为86万亿韩元。 有分析指出，三星电子炸裂的业绩背后是，供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。 里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示，202 ...

业绩太炸裂！ 今日（1月8日），全球芯片巨头三星电子最新披露的业绩显示，2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元 （约合人民币965亿元），同比大幅飙涨208%，高于市场预期。分析指出，这一业绩主要受益于AI热潮下的存 储芯片涨价潮。 另外，台积电也传来利好催化。据最新消息，台积电3nm制程持续供不应求，有业内人士透露，台积电今年除 调高3nm报价外，已暂时停止3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的报告中，大幅上调了台积电 的目标价。 四季度营利飙涨2 0 8% 1月8日，三星电子发布了2025年第四季度初步业绩，其中显示，公司2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩 元，较上年同期大幅增长208%，高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度 营业利润。 初步业绩报告显示，三星电子第四季度销售额同比增长23%，至93万亿韩元。这是三星单季销售额连续两个季 度突破80万亿韩元，2025年第三季度的销售额为86万亿韩元。 有分析指出，三星电子炸裂的业绩背后是，供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。 里昂证券韩国区研究主管Sanjeev ...

智通财经APP获悉，全球最大存储芯片制造商三星电子将于周四(1月8日)公布2025年第四季度初步业 绩。由于严重芯片短缺推动存储芯片价格大幅飙升，分析师预计，三星电子第四季度营业利润将同比飙 升160%。据LSEG SmartEstimate对31名分析师的预测，三星预计在10月至12月期间实现16.9万亿韩元的 营业利润(约合117亿美元)，高于上年同期的6.49万亿韩元，并将创下自2018年第三季度以来的最高季度 利润。 据悉，DRAM芯片广泛应用于服务器、计算机和智能手机中，用于临时存储数据，并帮助程序和应用程 序流畅快速地运行。DDR5 DRAM是一种传统芯片，比其前代产品速度更快、效率更高。 集邦咨询分析师吴怡雯表示："随着传统 DRAM 芯片价格持续暴涨，产能高度集中于该领域的三星，将 在本轮涨价周期中获得相对更大的收益。" 展望后市，国金证券认为，2026年全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价，预计2026年DRAM的位 元供应量增幅约为15%至20%，而需求增速预计将达到20%至25%左右。 野村证券表示，这一轮始于今年下半年的存储超级周期至少延续至2027年，并且真正有意义的新增供给 最早 ...

Company Overview - Changxin Technology, a leading DRAM manufacturer in China, has officially received acceptance for its IPO on the Sci-Tech Innovation Board, aiming to raise 29.5 billion yuan [1][14] - The company is the first to be accepted under the pre-review IPO project on the Sci-Tech Innovation Board, having completed a three-month guidance period [1][10] Financial Performance - From 2022 to 2025, Changxin Technology's revenue is projected to grow significantly, with figures of 8.287 billion yuan, 9.087 billion yuan, 24.178 billion yuan, and 15.438 billion yuan for each respective year [6][17] - Cumulative revenue from 2022 to September 2025 is expected to reach 73.636 billion yuan, with a compound annual growth rate of 72.04% for main business income from 2022 to 2024 [6][17] - Despite revenue growth, the company has incurred substantial losses, totaling 40.857 billion yuan by mid-2023, with losses of 5.28 billion yuan reported in the first nine months of 2023 [7][18] Market Position - According to Omdia, Changxin Technology ranks as the largest DRAM manufacturer in China and the fourth globally, but still lags behind the top three international players: Samsung, SK Hynix, and Micron, which collectively hold 94.27% of the market share [3][15] - The company's market share is projected to increase to 3.97% by the second quarter of 2025 [3][15] Industry Trends - The global storage industry is entering a "super cycle" driven by surging AI demand and supply-side contractions, leading to a dual explosion of performance and capital for storage chain enterprises [4][15] - A DRAM supply shortage is expected to persist until at least 2028, with major firms like SK Hynix warning of ongoing tightness in supply [4][15] Future Outlook - Changxin Technology anticipates a turnaround in profitability in 2025, projecting a net profit of 2 billion to 3.5 billion yuan, with a potential net loss of 1.6 billion to 600 million yuan for the year [8][19] - The company aims to enhance its production capacity and competitiveness through the funds raised from the IPO, focusing on technology upgrades and cost reduction [5][16] Corporate Structure - Changxin Technology operates under an IDM (Integrated Device Manufacturer) model and has a diverse product range, including DRAM wafers, chips, and modules, covering DDR and LPDDR series [5][16] - The company has no controlling shareholder, with significant stakes held by various investors, including state funds and private equity [12][23]

来源：猎云网 12月30日，上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（简称：长鑫科技/长鑫存储）科创板IPO申请获受理，保荐机构为中国国际金融股份有限公司、中 信建投证券股份有限公司。 本次冲击上市，长鑫科技，主要用于"存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目""DRAM存储器技术升级项目"以及"前瞻技术研究与开发项目"。 据了解，长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM（动态随机存取内存）研发设计制造一体化企业，提供DRAM 晶圆、DRAM 芯片、 DRAM 模组等多元化产品方案，公司产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭 代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。 根据市场研究机构Omdia数据，按产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。 数据显示，2022年-2024年，该公司营收为82.87亿元、90.87亿元、241.78亿元；2025年前三个季度，公司营收就达到了320.84亿元，超过2024年全年。 同期，长鑫科技分别亏损83.28亿元、163.4亿元 ...

星标 ★ IPO日报 精彩文章第一时间推送 以3个月之速度完成辅导后，中国DRAM龙头制造商长鑫科技集团股份有限公司（下称"长鑫科技"）在科创板IPO于12月30日晚间正式获得受理，拟首发募资295亿元。 值得一提的是，长鑫科技是科创板首单获受理的预先审阅IPO项目。公司的IPO申请已预先审阅，并在受理当天披露了两轮预先审阅问询函的回复。 张力制图 中国第一，全球第四 长鑫科技申报科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。 公司表示，随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进，公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，更强的市场竞争力及盈利能力。 招股书显示，长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。公司提供DRAM晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，长鑫科技的产品主要覆盖 DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、L ...

中经记者 李正豪 北京报道 2025年12月30日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称"长鑫科技"）正式向上海证券交易所递交招股 书，拟在科创板挂牌上市。 2025年上半年长鑫科技研发费用率达23.71%，超过同期行业平均值10.37%，也明显高于国际DRAM巨 头三星电子、SK海力士、美光同期的研发费用率11.74%、7.39%、10.66%。 截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据世界 知识产权组织统计数据，长鑫科技2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位；根据美国权威专利服 务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第 四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。 在招股书所披露的长鑫科技股权架构中，大基金二期、安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、 建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。 长鑫科技此次计划募资295亿元，满足该公司在DRAM行业进一步提升核心竞争力的需要。 （编辑：张靖超 审核：孙吉正 校对：颜京宁） ...

这一机制旨在保护关键核心技术攻关企业的信息与技术安全，减少上市"曝光"时间，同时压缩审核周期。 上交所官网同步披露了该公司首轮和第二轮审核问询函回复，显示公司已完成两轮预先审阅。 国内DRAM龙头——长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO申请12月30日获上交所受理，拟募资295亿元。 这家成立于2016年的存储芯片企业有望成为 A股"存储芯片第一股" ，标志着中国存储芯片产业在资本市场迈出关键一步。 | 发行上市 > 审核项目动态 > | | | | | | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 长鑫科技集团股份有限公司 (已预先审阅) | | | 科创板IPO | | | | | | 已受理 2025-12-30 | | 已问询 | | 上市委会议 | | 提交注册 | 注册结果 | | 项目基本信息 | | | | | | | | | 公司全称 | 长鑫科技集团股份有限公司 (已预先审阅) | | | 受理日期 | 2025-12-30 | | | | 公司简称 | 长鑫科技 | | | 融资金额(亿元) | 295.00 | | ...