Workflow
单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片技术
icon
Search documents
美光取得单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片专利
Jin Rong Jie· 2026-01-09 07:40
作者:情报员 国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为"单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导 体晶片"的专利,授权公告号CN114446773B,申请日期为2021年11月。 声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。 本文源自:市场资讯 ...