如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 2026年1月，名古屋大学低温等离子体科学研究中心肖新安教授和堀胜教授领导的研究团队与东 京电子宫城株式会社合作，宣布他们已阐明了使用冷却晶片和氟化氢（HF）等离子体的反应离子 刻蚀（RIE）工艺的机理。与传统工艺相比，二氧化硅（ SiO2）薄膜的刻蚀速度提高了五倍。此 外，使用HF作为刻蚀气体也降低了对环境的影响。 在制造结构精细复杂的器件时，例如 GAA（环栅）晶体管和 3D NAND 闪存，传统 RIE 工艺的 蚀刻速率会显著降低。为了解决这个问题，我们提出了一种采用 HF 等离子体并冷却晶圆的新工 艺。 当衬底温度保持在较低水平，例如-60℃时，刻蚀气体HF和反应产物水（H2O ）会吸附在SiO2表 面。研究发现， H2O起到催化剂的作用，将SiO2的刻蚀活化能降低到几乎为零。 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定 ...