Core Viewpoint - The restructuring plan of Jiangsu Times Chip Storage Semiconductor Co., Ltd. has failed, leading to the company's bankruptcy and the complete loss of shareholder equity [1][2]. Group 1: Company Overview - Jiangsu Times Chip Storage was established in October 2016 with a total investment of 13 billion RMB, focusing on developing and producing storage products using the latest PCM technology [1]. - The company aimed to build a 12-inch wafer factory capable of producing 100,000 pieces of phase change memory annually and had acquired an ASML lithography machine valued at 143 million RMB [1]. Group 2: Financial Issues - The company has faced severe financial difficulties, with total enforcement amounts reaching 863 million RMB, involving equipment suppliers, contractors, freight companies, and former employees [2]. - The company has been declared insolvent, with its original shareholders' equity being legally wiped out due to the failure of the restructuring plan [1]. Group 3: Industry Impact - The failure of the restructuring plan signifies the complete closure of what was considered the last unfinished 12-inch wafer factory in China's semiconductor industry [2]. - The bankruptcy case was officially accepted by the Huaiyin District People's Court in July 2023, leading to the public auction of the lithography machine [1].

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 7月9日消息，近日，江苏时代芯存半导体有限公司 管理人发布公告，宣布重整投资人华芯杰创公司违约， 时代芯存 重整计划执行失败！ 根据通告，其中提到" 江苏时代芯存 已构成资不抵债，原股东淮安淮沭科技发展有限公司及 北京时代全芯 的股东权益依法归零"，同时因华芯杰创集成 电路制造（广东）有限公司严重违约，管理人已于 2025 年 6 月 13 日依法解除《重整投资协议》，并终止重整程序。 公开资料显示，江苏时代芯存半导体有限公司2016 年 10 月落户国家级淮安高新技术产业开发区，项目总投资 130 亿元，由北京时代全芯存储技术股份有 限公司和淮安园兴投资有限公司合资成立，致力于开发及生产搭载最新 PCM 技术的存储产品。 该公司曾计划打造一座12 英寸晶圆厂，每年可生产 10 万片相变存储器，还曾引入一台价值 1.43 亿元的 ASML 光刻机，但后续因债务等种种问题深陷泥 潭，2023 年 7 月，江苏淮安市淮阴区人民法院正式受理时代芯存破产清算案，并对其光刻机进行公开拍卖。 而如今相应重整计划 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在AI的狂飙猛进中，大模型规模呈指数级增长态势，从最初的 GPT-3的1750 亿参数，到如今前 沿模型迈向万亿级参数的征程，每一次跨越都对计算资源提出了近乎苛刻的要求，尤其是存储带 宽，给传统的内存技术带来了巨大挑战。 在过去几十年中，服务器硬件的算力峰值基本以每两年3倍的速度飞速增长，展现出强大的计算潜 力。然而，DRAM带宽的增长速度却仅为每两年1.6倍，片间互连带宽的增速更是只有每两年1.4 倍。这种不均衡的发展速度，使得在长达20年的时间跨度里，造成了内存的存取速度严重滞后于 处理器的计算速度，内存瓶颈导致高性能处理器难以发挥出应有的功效，这对日益增长的高性能计 算形成了极大的制约。 这种不均衡的发展，被业界称为"存储墙"问题。 "存储墙"的存在使得处理器的性能无法得到充分发挥，严重制约了AI模型的训练和推理速度。有 相关研究表明，在一些大规模的AI训练任务中，由于内存墙的存在，处理器的实际利用率可能只有 理论峰值的20% - 30%，这无疑是对计算资源的巨大浪费。 直到HBM的出现，宛如一场存储领域的革命，彻底改变了传统DRAM的布局模式。HBM 凭借其 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 eenewseurope ，谢谢。 有迹象表明，Sandisk Corp. 正在寻求在一位管理英特尔基于 3D XPoint 的 Optane 内存业务的高 管的指导下创建一种非易失性相变内存。 2025 年 2 月，Sandisk 从数据存储公司西部数据分拆出来，当时该公司表示，它打算提供闪存产 品，同时致力于开发新兴的颠覆性内存技术。 在2月11日分拆前不久举行的Sandisk投资者日上，即将上任的内存技术高级副总裁Alper Ilkbahar 描述了他称之为3D矩阵内存的技术，认为这是公司未来的发展方向。在2022年2月加入西部数 据/Sandisk之前，Ilkbahar自2016年9月起在英特尔工作；最初担任数据中心内存总经理，并从 2020年10月起担任傲腾内存业务经理。 Ilkbahar 在演讲中表示，Sandisk 自 2017 年以来一直致力于 3D 矩阵存储器技术的研究，并通过 与比利时鲁汶 IMEC 的合作进入了"产品化阶段"，该项目于 2024 年启动，名为"Project Neo"。 双方将继续合作，以弥合"实验室到晶圆厂的 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 40 年来，我一直在关注替代和持久性内存技术。 早在 1980 年代，我们所有的半导体内存只有 SRAM、DRAM、EPROM 和（非闪存）EEPROM。 在 1980 年代后期，当我第一次从工程师转变为电子出版物的编辑时，我撰写了两家位于科罗拉多斯 普林斯的公司提供的新兴、低容量、持久性内存：Ramtron 生产的铁电存储器 (FRAM)，以及 Simtek 生产的带有 SRAM 影子内存阵列的 SONOS 闪存。Ramtron 已经不复存在，但 FRAM 仍在 发挥作用，赛普拉斯于 2008 年收购了 Simtek。（英飞凌于 2020 年收购了赛普拉斯。） 东芝于 1987 年开始生产闪存，该技术在 20 世纪 90 年代真正流行起来。如今，闪存 EEPROM 广 泛用于板载和片上代码和数据存储，而 DRAM 已发展成为 SDRAM，它简化了与 RAM 存储相关的 一些事情（例如 RAS/CAS 时序和刷新周期），但也大大简化了其他事情，例如需要在电路板上使 用长度匹配的高速走线。 在过去十年左右的时间里，出现了更新的替代和持久性内存技术，包括更新的 FRAM、 ...