为什么薄膜铌酸锂是单波400G的必选项？ 目前，单波400G在硅光路径上已触及物理天花板。 薄膜铌酸锂（TFLN），凭借超高电光系数与实测110GHz+带宽（实验室已达260Gbaud），成为实现单波400G唯一 具备工程可行性的"性能引擎"。 【中信通信】薄膜铌酸锂：单波400G必选项，受益3.2T+CPO，关注安孚+天通！ 将薄膜铌酸锂切片后，采用Dieto Wafer（或Wafer to Wafer）工艺，通过异质集成技术键合至制备完成的SOI晶圆 上，实现晶圆级异质集成高速调制器芯片的量产。 "硅光+薄膜铌酸锂"异质集成方案是3 【中信通信】薄膜铌酸锂：单波400G必选项，受益3.2T+CPO，关注安孚+天通！ 为什么薄膜铌酸锂是单波400G的必选项？ 目前，单波400G在硅光路径上已触及物理天花板。 薄膜铌酸锂（TFLN），凭借超高电光系数与实测110GHz+带宽（实验室已达260Gbaud），成为实现单波400G唯一 具备工程可行性的"性能引擎"。 "硅光+薄膜铌酸锂"异质集成方案是3.2T光模块必选项！实现"硅光控成本、铌酸锂提性能"的效果。 预计CPO和OIO场景，薄膜铌酸锂也会大量使用。 此 ...