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第三代高带宽存储芯片(HBM3)
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国产存储赛道或迎新巨头,长鑫科技完成IPO辅导
Zheng Quan Shi Bao· 2025-10-11 05:17
官网信息显示,创立于2016年的国产存储巨头——长鑫科技是一家一体化存储器制造公司,专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产 和销售。公司全资子公司长鑫存储技术有限公司(下称"长鑫存储")作为一体化存储器制造商,专业从事动态随机存取存储芯片的设计、研发、生产和销 售,目前已建成12英寸晶圆厂并投产。 目前,公司已推出多款DRAM商用产品,涵盖DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5系列,国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM企业,广泛应用于移 动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。根据官网介绍,公司LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X 相比,LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%,分别达到12Gb和6400Mbps,同时功耗降低30%。LPDDR5芯片预计也将赋能更多移动设备,满足数字 时代日益增长的存储需求。 东方证券研报指出,公司计划在2025年底前交付第三代高带宽存储芯片(HBM3)样品,并预计从2026年开始全面量产,并计划于2027年开发HBM3E (HBM3的扩展版)。 据中国证监会官网消息,长鑫科技集团股份有限公 ...