公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 云计算与人工智能的普及催生海量数据流，推动数据中心内部及跨中心对超高速、低能耗光互联链 路的需求激增；这类链路的数据传输速率必须大幅超越当前 200 吉比特每秒（200Gb/s）的通用标 准。将新材料异质集成至硅光平台，可打造面向短距、短途互联的下一代电光调制器与光电探测 器。 铌酸锂（LiNbO₃）是极具代表性的优质材料，凭借极高的电光系数，非常适配高速光通信系统。 另一热门材料为钽酸锂（LiTaO₃），其优势在于电光稳定性优异、损伤阈值高且具备紫外透光 性，适用于高功率、温敏场景，以及短波长工作的光通信设备。 但两类材料均含锂元素，难以兼容主流 CMOS 制造工艺；同时，将高速光电探测器等其他器件与 这类材料集成，技术落地难度极大。 为攻克上述难题，业内正在探索多种集成方案。晶圆键合技术虽已在铌酸锂器件上实现验证，但成 本高昂、效率偏低 —— 键合后需剥离绝大部分基材，还要增设大量后续加工工序。如今，比利时 微电子研究中心（imec）推出微转印技术，可将铌酸锂、钽酸锂高效异质集成至硅光平台，成为 极具潜力的新方案。 全球首创：微转印技术实现薄膜铌酸锂调制器硅 ...