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超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板
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天域半导体再涨超6% 与青禾晶元达成战略合作 共同推进先进键合材料工艺开发
Zhi Tong Cai Jing· 2026-01-19 03:38
董事会认为,订约方将利用彼等各自的竞争优势,建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识,合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力,确保设备 稳定性,并进一步巩固集团的市场地位。 消息面上,天域半导体宣布,与青禾晶元订立战略合作协议,据此,双方同意建立战略合作,凭藉本公 司在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力,共同开展键合材料(包括键 合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基 板)的工艺开发及技术迭代。 天域半导体(02658)再涨超6%,截至发稿,涨6.43%,报54.65港元,成交额1388.52万港元。 ...
天域半导体与青禾晶元订立战略合作协议 共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代
Zhi Tong Cai Jing· 2026-01-16 13:24
董事会认为,订约方将利用彼等各自的竞争优势,建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识,合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力,确保设备 稳定性,并进一步巩固集团的市场地位。 天域半导体(02658)公布,于2026年1月16日(交易时段后),公司及青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公 司(青禾晶元)订立战略合作协议,据此,协议订约方同意建立战略合作,凭借公司在碳化硅材料领域的 优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力,共同开展键合材料(包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体 上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板)的工艺开发及技术迭 代。 ...
天域半导体(02658)与青禾晶元订立战略合作协议 共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代
智通财经网· 2026-01-16 13:23
董事会认为,订约方将利用彼等各自的竞争优势,建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC 外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识,合作旨在促进先进键合材料 解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力,确保设备 稳定性,并进一步巩固集团的市场地位。 智通财经APP讯,天域半导体(02658)公布,于2026年1月16日(交易时段后),公司及青禾晶元半导体科 技(集团)有限责任公司(青禾晶元)订立战略合作协议,据此,协议订约方同意建立战略合作,凭借公司 在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力,共同开展键合材料(包括键合 碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板) 的工艺开发及技术迭代。 ...