如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自tomshardware，谢谢。 3 月 25 日，美光推出了采用全新1γ (1-gamma) 制造工艺制造的 16Gb DDR5 设备，该工艺采用 EUV 光刻技术，这是美光的首创。新 IC 不仅比其前代产品性能更高，而且功耗更低，制造成本也 更低。该公司还表示，其 1γ 制造技术（第 6 代 10nm 级节点）最终将用于其他 DRAM 产品。 美光的 1γ 主打产品是该公司的 16Gb (2GB) DDR5 IC，其额定数据传输率为 9200 MT/s，行业标 准电压为 1.1V。与其前代产品（采用 1β 制造工艺制造的 16Gb DDR5 IC）相比，新器件功耗降低 了 20%，位密度提高了 30%，一旦新芯片的产量达到与 1β 16Gb DRAM 器件相当的水平，这可能 意味着生产成本也会相应降低。 虽然美光将其最新的 16Gb DDR5 IC 的速度定为 9200 MT/s，但这一速度等级明显高于最新版本的 DDR5 规范中的任何速度等级。该公司强调，该芯片可以很好地以符合 JEDEC 的速度等级运行，而 更高的速度等级将实现一定的未来防护和 ...