10nm线宽NIL纳米压印光刻掩膜版
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大日本印刷开发1.4nm级纳米压印光刻掩膜版 计划2027年量产
Ju Chao Zi Xun· 2025-12-10 02:45
此外,DNP计划在2025年12月17日至19日于东京国际展览中心举办的SEMICON Japan 2025上展出这款10nm线宽NIL纳米压印光刻掩膜版。公司认为, 通过在专业展会集中展示产品与技术路线,可加深与全球半导体制造企业及设备厂商的交流,推动纳米压印工艺在先进逻辑制程中的应用探索。后续 该技术在量产良率、生产节拍以及与既有工艺整合方面的表现,将成为市场持续关注的重点。 (校对/秋贤) (文/罗叶馨梅)大日本印刷株式会社(DNP)近日宣布,成功开发出电路线宽为10nm的NIL纳米压印光刻掩膜版,可用于相当于1.4nm级逻辑半导体 的电路图形化。公司表示,该产品面向智能手机、数据中心、NAND闪存等应用场景中尖端逻辑芯片的微型化需求,目前已启动客户评估工作,计划 于2027年实现量产。DNP同时提出,力争在2030财年将纳米压印相关业务销售额提升至40亿日元。 DNP指出,随着终端设备性能持续提升,市场对更先进制程逻辑半导体的需求不断加大,推动基于极紫外(EUV)光刻的生产技术演进。但EUV在生 产线建设和曝光过程中需要巨额资本支出及高能耗,制造成本与环境负担成为行业关注焦点。自2003年起,DNP持 ...