（一）3D NAND技术持续突破 高层数3D NAND Flash通过双晶圆键合架构、横向拓展等方式提升存储密度，三星、SK海力士等厂商已推进300层以上技术量产，如三星400层NAND预计 2025年大规模量产。混合键合技术成为关键方向，可解耦存储单元与CMOS电路，提升性能与可靠性，长江存储与三星已达成相关专利许可协议。 （二）服务器存储需求爆发 一、全球存储市场技术发展与应用变化 2025年全球智能手机出货量12.10亿部，AI手机渗透率30%。UFS4.0在高端机型应用增加，手机单机NAND容量预计超220GB，DRAM超8GB，国产手机品牌 出海带动存储需求增长。 三、AI消费电子与存储新机遇 （一）AI眼镜成为新爆点 Ray-Ban Meta带动AI眼镜市场，2025年出货量有望达1000万副，字节跳动、华为等企业入局。技术路线分传统眼镜升级与AR功能迭代，存储方案向 128GB/256GB超薄ePOP发展。 2025年全球PC出货量预计2.61亿台，AI PC渗透率达35%。AI PC推动PCle 4.0/5.0 SSD应用，2025年PCle 5.0 SSD出货占比6.2%，国产存储厂商如长江 ...