机构分析指出： 需求侧：全球AI产品迭代推高Tokens消耗，谷歌6月月度处理Tokens接近"1千万亿"（约980万亿），较5月翻倍；国内字节"豆包"5月底日均Tokens超16.4万 亿、同比放量137倍。更多tokens消耗有望反哺云端推理算力需求，新一轮增长逻辑形成闭环，算力需求将持续提升，云厂商加速扩容。 供给侧：国内"芯片—系统—生态"协同推进。华为今日在沪论坛预告发布推理"黑科技"，发布一项突破性技术，旨在通过硬件架构重构与软件智能调度协同 ；前期华为宣布CANN全面开源，Ascend"384超节点"在多地示范；百度昆仑芯P800亮相三万卡集群，云端推理吞吐与性价比改善，支撑国产算力栈完善。 截至2025年8月12日 13:32，中证半导体产业指数(931865)强势上涨2.89%，成分股上海合晶(688584)上涨20.00%，寒武纪(688256)上涨20.00%，上海新阳（维 权）(300236)上涨5.59%，中巨芯(688549)，芯源微(688037)等个股跟涨。半导体产业ETF(159582)一度涨超3%，现上涨2.78%，最新价报1.52元。拉长时间 看，截至2025年8月11日 ...

行业报告 | 行业研究周报 半导体 证券研究报告 海外龙头及国产代工最新业绩总结，关注旺季下的涨价、扩产、复苏 海外半导体龙头及国产代工最新业绩及行业趋势总结：AI与高性能计算仍是核心驱动力，HBM、AI芯片（如 MI350） 及端侧 AI硬件（如智能眼镜）需求旺盛。存储市场看好下半年涨价预期持续：HBM 和 DDR5 需求强劲，DDR4 供 应量依然吃紧，预期原厂在第 3 季的涨价底气十足。NAND Flash 市场因减产效应持续发酵，供给维持稳健，SSD 可 能会出现短期供货量短缺。同时，随着 AI 需求增长，以及消费性电子新品的陆续上市，预期第 3 季 NAND Flash 合 约价将继续上扬。晶圆代工侧持续看好，旺季涨价，扩产：华虹 Q2 毛利率超预期主因产能优化及价格企稳，中芯 国际 Q3 预期收入环比提升。复苏侧看好功率、模拟：代工侧表示超级结需求饱满提示功率板块景气度改善，模拟 龙头 TI Q2 业绩同环比改善，工业与汽车需求稳健增长。 晶圆制造：中芯国际 Q2 产能利用率 92.5%，从平台看，模拟芯片需求增长显著。功率器件规模上量后处于供不应 求状态，此外，图像传感器平台收入环比增长超两成， ...

Micron Technology (MU) Conference Summary Company Overview - **Company**: Micron Technology (MU) - **Date of Conference**: August 11, 2025 Key Points Financial Performance - **Revenue Guidance**: Updated from $10.7 billion to $11.2 billion for fiscal Q4, with a margin of $100 million [4] - **Gross Margin**: Increased from 42% to 44.5% [5] - **EPS (Non-GAAP)**: Revised from $2.50 to $2.85 [5] - **Drivers of Performance**: Strong pricing across end markets, consistent volume shipments, and improved product mix [5][6] Market Dynamics - **End Markets Strength**: Notable strength in AI, data centers, PCs, and smartphones [11] - **CapEx Spending**: Top five hyperscaler companies expected to spend over $400 billion in CapEx in 2025, primarily on infrastructure and data centers [11] - **Supply Squeeze**: HBM wafers are in high demand, creating a favorable pricing environment [12] AI Infrastructure Positioning - **AI Growth**: Anticipated significant growth in AI infrastructure, with a focus on data centers and edge devices [19] - **Smartphone Upgrades**: Increase in average DRAM capacities in smartphones from 8GB to 12GB expected to drive demand [20] - **Long-term Vision**: AI technologies expected to proliferate to edge devices, including smart cars and wearables [21] HBM Development - **Current Status**: HBM3E ramping successfully, with 12-high volume exceeding 8-high volume [25] - **Future Products**: HBM4 and HBM4E in development, with customization opportunities for customers [29][30] - **Competitive Advantage**: Micron's HBM products have 30% lower power consumption than competitors, enhancing appeal to power-constrained data centers [32] R&D and Manufacturing Commitment - **Investment**: $200 billion commitment to U.S.-based R&D and manufacturing over the next 20 years, including $150 billion for manufacturing and $50 billion for R&D [34] - **Strategic Positioning**: As the only U.S. memory company building front-end fabs, Micron is positioned as a key partner for customers [35] Market Transformation - **Differentiation Strategy**: Focus on creating substantial value and differentiation across product lines, including low power DRAM for data centers and QLC NAND [40][41] - **ROI Expectations**: HBM expected to yield higher ROI compared to traditional DRAM products, with a shift towards an ASIC-like business model [42][43] Additional Insights - **Customization in HBM**: Customers looking to embed unique features in HBM base die, indicating a trend towards more specialized products [36] - **Market Landscape Changes**: Potential reduction in HBM suppliers from three to two or one, significantly altering competitive dynamics [31] This summary encapsulates the key insights and developments discussed during the Micron Technology conference, highlighting the company's strong financial performance, strategic positioning in the AI market, and commitment to innovation and U.S. manufacturing.

来源 ：内容 综合 businesskorea 。 SK 海 力 士 高 带 宽 存 储 器 （ HBM ） 业 务 负 责 人 预 测 ， 到 2030 年 ， HBM 市 场 年 均 增 长 率 将 达 到 30%。这一预测消除了部分人士的担忧，即由于供过于求，HBM市场增长率可能会放缓。 SK 海 力 士 副 总 裁 兼 HBM 业 务 规 划 负 责 人 崔 俊 勇 于 8 月 10 日 （ 当 地 时 间 ） 接 受 路 透 社 采 访 时 表 示，"最终用户对人工智能的需求非常坚定且强劲"，预计到2030年，包括HBM在内的人工智能 （AI）专用存储芯片市场将以每年30%的速度增长。 Choi 指出，引领 AI 创新的大型科技公司持续大规模的 AI 投资是市场持续增长的基础。他表 示："这将对 HBM 市场产生积极影响。" 他补充道："这些公司对 AI 基础设施的投资与 HBM 需 求之间存在直接关联。" 这些言论似乎直接驳斥了近期HBM市场增速可能放缓的观点。三星电子上个月在第二季度财报电 话会议上提到："对于HBM3E产品，由于供应增长超过需求增长，预计供需将发生变化，这将暂时 影响市场价格。 ...

证券研究报告 | 行业深度报告 2025 年 08 月 11 日 国内设备/算力/代工等板块业绩增长向好，关注存储/模拟等复苏态势 | | | 占比% | | --- | --- | --- | | 股票家数（只） | 507 | 9.9 | | 总市值（十亿元） | 10138.5 | 10.6 | | 流通市值（十亿元） | 8673.4 | 10.0 | 行业指数 半导体行业深度跟踪 TMT 及中小盘/电子 海外 CSP 云厂商纷纷上修资本支出，台积电上修 2025 年收入增速指引，整体 算力景气度有望延续，国内海光等亦持续释放业绩；海外半导体设备公司 25Q2 表现符合预期，国内设备公司签单和业绩表现向好；海外存储原厂受益于 HBM 等需求，国内存储模组和利基存储芯片公司将继续受益于涨价和库存改善等， 整体收入和盈利能力预计均保持边际复苏态势；海外 TI 表示大部分终端市场复 苏，国内模拟公司 25Q2 营收多数同环比改善。建议关注自主可控加速叠加业 绩向好的设备/算力/代工/等板块、景气周期边际复苏的存储/模拟等板块，同时 建议关注各科创指数和半导体指数核心成分股。 2、库存端：手机链 DOI 环比 ...

证券研究报告 | 行业深度 gszqdatemark 2025 08 11 年 月 日 电子 AI 需求全面爆发，看好先进封装产业链机遇 AI 引领半导体市场迈向万亿美金纪元。台积电在北美技术研讨会中认为 全球半导体市场规模将在 2030 年达到 1 万亿美元，AI 引领新一轮半导体 市场强增长周期，预计 HPC/AI 终端市场的市场份额将在 2030 年占据半 导体市场的 45%。计算与能效性能成为 AI 时代关键，通过制程升级、先 进封装及设计架构革新等多维度努力，台积电实现 EEP 每两年 3 倍的效能 提升。台积电先进封装平台 3D Fabric 不断升级完善，CoWoS 集成度进一 步提升，公司将于 2026 年将推出 5.5 倍光罩尺寸的 CoWoS-L，2027 年推 出集成 SoIC 和 12 个 HBM 的 9.5 倍光罩尺寸 CoWoS-L，与此同时台积电 发布 SoW（System on Wafer）先进封装平台，其将与 CoWoS 技术平台 并行推进，SoW 将拥有 40 倍光罩尺寸，面向 HPC 与 AI 日益增长的算力 和效能需求，先进封装重要性日益提升。 先进封装平台持续升级，与 ...

Samsung Electronics is too likely a part of Apple's US$600bn investment plan for AMP (American Manufacturing Program). Korean media also reported Samsung's new foundry business opportunities for next-generation iPhones. However, we do not assume yet any foundry orders for iPhone AP (application processor), which is still exclusively made by TSMC. Samsung first needs to prove large scale (wafer capacity) and good yield for 2nm/1.4nm node foundry to get new Apple foundry orders. Our channel checks also indica ...

It's incredibly difficult to build chips in the United States. We're just now building the ecosystem. Even when chips are uh manufactured in the United States, it's really hard to package them in North America.And one of the reasons is u all the other AI chips use a component called HBM or high bandwidth memory. And that tends to get packaged uh in TSMC. So even if you are fabbing your chip in the US, it still gets sent to Taiwan in order to get um packaged and then it gets sent out.In our case, we're uniqu ...

【中信证券：GPT-5发布 美股科技领域建议布局AI计算芯片等】智通财经8月10日电，中信证券研报表 示，近期OpenAI发布GPT-5，引发资本市场关注。该模型推理能力进步明显，定价与Gemini 2.5 Pro等主 流模型持平，性价比显著提升。而在垂类场景如编程和医疗上，GPT-5亦有不错的测评表现，展现出良 好的场景拓展潜力。OpenAI等模型厂商近期的快速更新迭代的影响包括：科技巨头在前沿模型领域的 军备竞赛、推理&scaling law&多模态等带来的算力持续爆炸式增长、推理能力提升带来复杂应用场景 解锁可能等。美股科技领域，建议继续围绕基础设施、AI应用等环节，重点布局AI计算芯片、HBM、 AI网络设备、IDC、基础&应用软件、互联网服务等领域。 转自：智通财经 ...

点击 最 下方 关注《材料汇》 ， 点击"❤"和" "并分享 添加 小编微信 ，寻 志同道合 的你 正文 半导体封装路线图 3D互连密度与技术节点的综合时间线 1.E+13 3D ID with 3D/2.5D Packaging TSMC: SolC in ((S) YOLE TSMC: SolC in 1.E+12 InFO CoWoS and the 1.E+11 ic sc II METERMATE II I 1.E+10 nterconnect Density (mm-3) Log Hvbrid TSMC: InFO_oS TSMC: CoWoS Intel: EMIB 1.E+09 Intel: Foveros ASE: FOCoS TSMC: LSI echnology Node 1.E+08 D CD 2017-02-04 t 1 2 2 2 No Max 1.E+07 UHD FO | 2.5D Si Interposers, Embedded S 1.E+06 10.0µm .Bridges, 3D Interconnections | Embedded Die 1.E+05 Fan-In ...