公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 硅通孔 (TSV) 是现代三维集成电路 (3D-IC)技术的基础技术之一，它提供垂直互连，穿过硅片连接 堆叠芯片，形成短而低延迟的信号路径。在本篇博文中，我们将深入探讨 TSV 的结构、间距和电气 特性，解释关键的布局规则，例如禁区 (KOZ) 和应力约束，并探讨 TSV 寄生参数如何影响带宽、 延迟和系统级性能。 本文介绍了一些基本概念，包括TSV间距、TSV寄生参数、堆叠芯片、先进封装、混合键合、中介 层、微凸块和TSV可靠性。这些主题共同为理解基于TSV的集成在现代3D-IC设计中的作用以及相关 的架构权衡奠定了坚实的基础。 TSV本质上是一种垂直金属塞（vertical metal plug），通常由铜制成，嵌入硅芯片的厚度方向。经 典的制造流程包括深反应离子刻蚀（DRIE）、衬垫层和阻挡层沉积、铜电化学沉积以及背面减薄以 暴露通孔。根据通孔在工艺流程中的引入时间，TSV可分为先通孔型、中间通孔型和后通孔型，其中 中间通孔型TSV最常用于高密度逻辑存储器堆叠结构。 TSV间距是直接影响系统设计选择的关键参数。更小的间距可以在单位面积内实现更多的垂直互连， ...