如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自semiengineering，谢谢。 在 EUV 光刻技术中，尤其是高数值孔径 EUV，平衡分辨率、灵敏度和线宽粗糙度之间的权衡变 得越来越困难。 使用极端紫外线曝光的光刻图案化依赖于抗蚀剂掩模，该掩模可以同时满足小特征分辨率、对 EUV 波长的高灵敏度以及可接受的线宽粗糙度的目标。不幸的是，光掩模和图案化晶圆之间的最 后一步也是最不可预测和最不为人所知的。 模拟可以准确预测给定的照明和光掩模组合将产生的区域图像。然而，一旦该区域图像遇到光刻 胶，情况就会变得更加复杂。光刻胶是许多不同成分的混合物，它们以不同的方式与 EUV 光子相 互作用。任何给定掩模特征的可打印性取决于其附近的光刻胶成分和 EUV 光子的分布。 化学放大光刻胶 评估光刻工艺的三个关键参数——分辨率、线宽粗糙度和灵敏度——定义了光刻师所谓的 RLS 三 角。在化学放大光刻胶 (CAR) 中，改善其中一个参数通常以牺牲其他两个参数为代价。在这些光 刻胶中，入射光子会产生光酸，进而使光刻胶聚合物脱保护。这使其可溶于显影剂。光刻胶聚合物 的尺寸和光酸扩散距离决定了光刻胶的最终分辨率。 同 ...