点击 最 下方 " 推荐"、"赞 "及" 分享 "，"关注"材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 正文 PCB领域。 PCB作为电子产品中不可或缺的元件，其需求稳定且将持续增长。2017年开始，随着5G、 云计算、智能汽车等新的结构性增长热点的出现，PCB行业迎来新的增长驱动。与此同时，PCB将更多 向高密度化、薄型高多层化等高技术含量方向发展，带动PCB光刻胶用量的持续增长。据Prismark统 计，2022年世界PCB产业总产值达817亿美元，同比增长1.0％。预计2023年产值同比下滑4％。随着 AI、5G网络通信、新能源车等新科技应用的持续带动，预计2022～2027年世界PCB产值年均增长4％， 到2027年将达到984亿美元。2022年， 世界PCB光刻胶的消费额约为163亿元 ，同比增长2%，预计未来 5年消费增速约为4%。 1.2受半导体产业快速发展驱动，未来5年中国光刻胶需求增速约7% 近年来，随着中国在电子芯片、新型显示面板和印制电路板等产业的快速发展，中国对光刻胶的需求呈 增长态势。尽管半导体集成电路产业快速发展，但由于新型显示产业需求大幅下滑，2022年中国光刻胶 市场规模与 ...

一、光刻胶为何如此之难？ 点击 最 下方 " 推荐"、"赞 "及" 分享 "，"关注"材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 备注：文末附录更多关于光刻胶的报告 正文 在半导体制造领域，光刻胶是一个极为关键的材料，它如同芯片制造的"画笔"，决定着芯片上微观结构 的精度和质量。然而，光刻胶却是一个让无数国内企业望而却步的领域，其难度之大，堪称半导体材料 领域的"珠穆朗玛峰"。本文将深入探讨光刻胶到底难在哪里，以及在当前的产业环境下，是否有机会投 资，又该如何布局。 来源：新材料在线 （一）技术门槛：高不可攀的"护城河" 1、复杂的化学配方 光刻胶是一种高度复杂的化学混合物，其配方涉及多种化学成分的精确配比。它由光引发剂、光刻胶树 脂、单体、溶剂和其他助剂组成。这些成分在特定波长的光照下会发生光化学反应，从而改变光刻胶在 显影液中的溶解度，实现图形化的目的。 然而，不同类型的光刻胶（如g线、i线、KrF、ArF、EUV光刻胶）对配方的要求各不相同。以EUV光 刻胶为例，其需要在极紫外光（波长仅13.5纳米）下工作，这就要求光刻胶具有极高的光敏感度和分辨 率，同时还要具备良好的抗刻蚀性能和低线宽粗糙度。这种 ...

Group 1 - The core viewpoint of the article is that the revenue from photolithography materials is expected to grow by 7% to reach $5.06 billion by 2025, driven by the recovery of the semiconductor market and increased demand for advanced photolithography resists, particularly EUV resists which are projected to grow by 30% year-on-year [1] - In 2024, photolithography material revenue is forecasted to have a modest growth of 1.6%, reaching $4.74 billion, with photolithography resists growing by 1% and EUV resists showing a notable increase of 20% [1] - The market is benefiting from the steady growth in demand for photolithography resists due to advancements in node processes, especially EUV resists, while traditional resists like KrF and ArF are also seeing increased applications in 3D NAND [1] Group 2 - According to TECHCET's report, the photolithography materials market is expected to grow at a compound annual growth rate of 6% until 2029, influenced by trends in supply chain localization with new facilities being established in the US, South Korea, Taiwan, and mainland China [2] - Geopolitical tensions, particularly restrictions on advanced materials and China's advancements in photolithography technology, will impact material supply [2] - Innovative technologies such as dry photolithography resist deposition and nanoimprint lithography are deemed crucial for meeting advanced node demands, while the industry is also addressing challenges like the phased-out use of PFAS-related chemicals [2]

政策成为新变因，EUV成本压力首要因素 报告研究指出，若美国对来自日本的EUV与ArF光刻胶课征10～25%关税，将导致进口价格上涨10～ 24%，以目前EUV光刻胶报价每加仑1500美元计算，一旦课税25%，最终成本将在2025年增加近400 美元。 申请入围"中国IC独角兽" 半导体高质量发展创新成果征集 然而，EUV光刻胶具备高技术导向与使用环境极为严格的要求，无法轻易替代，因为即使关税阻碍成本 攀升，包括台积电、英特尔、三星等先进晶圆制造商仍需依赖日系供应商的安全出货，才能确保先进制 造进度的良率与量产进度。目前面临着「被迫接受高成本」的现实困境。 当全球半导体先进制造进程迈向2nm竞速阶段，EUV（极紫外光）光刻胶无疑是最核心、也最难取代 的一环， 近期美国针对日系高阶材料拟增征进口关税， 无异于向供应链竞赛发起变数，也为材料势力 版图带来潜在重构契机。 EUV光阻技术主题高吸光率、低缺陷密度与高精密选择比等物理特性，加上验证期长、量产入口高，市 场长期受JSR、东京应化、信越化学三大日厂垄断，市占率超过九成。 美系大厂如杜邦与陶氏虽然现 在ArF、KrF保有市占，但在EUV该领域几乎无法与日厂抗衡 ...

申请入围"中国IC独角兽" 半导体高质量发展创新成果征集 4月29日，中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员团队在极紫外光刻（EUV）光源领域取得重大突破，他们成功开发出基于固体激光器技术的激 光等离子体极紫外（LPP-EUV）光源，能量转换效率达到3.42%，超越众多国际顶尖研究水平，这项突破不仅打破了西方在EUV核心技术上的垄断，更标 志着中国半导体产业正式叩开了7纳米以下先进制程的大门。这一成果不仅是中国科研实力的有力证明，更标志着中国在半导体核心技术领域迈出了具有 里程碑意义的一步。 EUV技术 在当今数字化时代，芯片已成为现代科技的核心，而EUV光刻技术则是制造高端芯片的关键。EUV光刻技术能够将芯片上的电路图案缩小到纳米级别， 让芯片在更小的体积内集成更多晶体管，从而提升性能、降低功耗。可以说，掌握了EUV技术，就掌握了高端芯片制造的"金钥匙"。 EUV光刻的原理，简单来说，就是利用波长为13.5nm的极紫外光，通过光刻系统将掩模版上的芯片电路图案精确投影到硅片上，如同用精细的画笔在微 小的芯片"画布"上绘制电路。（简单示意EUV光刻原理，如光线从光源发出，经过反射镜组，照射带有图案的掩模版， ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自semiengineering，谢谢。 在 EUV 光刻技术中，尤其是高数值孔径 EUV，平衡分辨率、灵敏度和线宽粗糙度之间的权衡变 得越来越困难。 使用极端紫外线曝光的光刻图案化依赖于抗蚀剂掩模，该掩模可以同时满足小特征分辨率、对 EUV 波长的高灵敏度以及可接受的线宽粗糙度的目标。不幸的是，光掩模和图案化晶圆之间的最 后一步也是最不可预测和最不为人所知的。 模拟可以准确预测给定的照明和光掩模组合将产生的区域图像。然而，一旦该区域图像遇到光刻 胶，情况就会变得更加复杂。光刻胶是许多不同成分的混合物，它们以不同的方式与 EUV 光子相 互作用。任何给定掩模特征的可打印性取决于其附近的光刻胶成分和 EUV 光子的分布。 化学放大光刻胶 评估光刻工艺的三个关键参数——分辨率、线宽粗糙度和灵敏度——定义了光刻师所谓的 RLS 三 角。在化学放大光刻胶 (CAR) 中，改善其中一个参数通常以牺牲其他两个参数为代价。在这些光 刻胶中，入射光子会产生光酸，进而使光刻胶聚合物脱保护。这使其可溶于显影剂。光刻胶聚合物 的尺寸和光酸扩散距离决定了光刻胶的最终分辨率。 同 ...