Intel 18A-PT是在Intel 18A-P的性能和能效进步基础上推出的另一种Intel 18A演进版本。Intel 18A-PT可 通过Foveros Direct 3D先进封装技术与顶层芯片连接，混合键合互连间距小于5微米。 此外，英特尔代工流片的首批基于16纳米制程的产品已经进入晶圆厂生产。英特尔代工也正在与主要客 户洽谈与UMC合作开发的12纳米节点及其演进版本。 新浪科技讯 4月30日上午消息，2025英特尔代工大会（Intel Foundry Direct Connect）上，英特尔分享了 多代核心制程和先进封装技术的最新进展，并宣布了新的生态系统项目和合作关系。 据悉，在制程技术方面，英特尔代工已与主要客户就Intel 14A 制程工艺展开合作，发送了Intel 14A PDK（制程工艺设计工具包）的早期版本。这些客户已经表示有意基于该节点制造测试芯片。相对于 Intel 18A所采用的PowerVia背面供电技术，Intel 14A将采用PowerDirect直接触点供电技术。 同时，Intel 18A制程节点已进入风险试产阶段（in risk production），并将于今年内实现正 ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 3月17日消息，三星原计划于2027年实现量产的FS1.4 1.4纳米级工艺，可能因无法达到预期目标而被取 消。 半导体论坛百万微信群 加群步骤： 第一步：扫描下方二维码，关注国芯网微信公众号。 第二步：在公众号里面回复"加群"，按照提示操作即可。 近年来，三星在半导体代工领域似乎一直面临挑战：7纳米和5纳米生产线因产能未被充分利用而关闭， FS3 3纳米工艺也存在良率不足的问题。 与此同时，即将用于生产三星自家Exynos 2600手机处理器的SF2 2纳米工艺虽然已获得日本某公司的订 单，但并未吸引到任何中国芯片厂商的关注。即便在当前国际形势下，一些厂商因制裁无法使用另一家 顶尖代工厂的服务，仍然选择不考虑三星作为替代方案。 三星最近报告称，在智能手机和存储芯片等关键领域的市场份额下降。2024年，三星移动部门的市场份 额从2023年的30.1%降至28.3%，而其DRAM市场份额从42.2%滑落至41.5%。 公司还面临地缘政治风险和原材料价格波动，进一步复杂化了其运营。为应对这些挑战，三星将 ...