据科技日报10月25日报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子 断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行 为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。 相关论文近日刊发于《自然·通讯》。为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体 领域。研究人员最终合成出一张分辨率优于5纳米的微观三维"全景照片"，一举克服了传统技术无法原 位、三维、高分辨率观测的三大痛点。 银河证券指出，光刻胶主要用于微电子领域的精细线路图形加工，近年来，光刻胶成为了决定半导体芯 片制程水平的关键材料。高端半导体光刻胶的核心技术主要掌握在日、美等国际厂商手中，且市场集中 度较高。我国起步较晚，虽然目前在中低端的KrF光刻胶和i线光刻胶领域实现了较高的国产化率，但是 在中高端的ArF光刻胶、EUV光刻胶领域仍亟待突破。 根据弗若斯特沙利文市场研究，中国半导体光刻胶市场规模从2019年27.8亿元增长至2023年64.2亿元， 年复合增长率23.3%，预计2028年境内半导体光刻胶市场规模将达到150.3亿元，年复合增长率18.5%， 高于全球半导体 ...