公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在最近于日本举行的超大规模集成电路技术与电路研讨会上，应用材料公司发表了一篇论文，描述了一种扩展 2nm 及 以上工艺节点的先进逻辑芯片铜互连的方法。 应用材料公司开发了一种铜互连工艺流程，该流程利用了各种设备和材料，包括新的Low k电介质线和钌钴（RuCo）衬里 技术。在论文中，应用材料公司通过开发基于2纳米节点最新晶体管技术的AI加速器测试芯片，证明了该工艺的可行性。 诚然，这是一个涉及多个方面的复杂过程。简单来说，一个先进的逻辑芯片包含数十亿个被称为晶体管的微型结构。晶体 管是芯片的关键组成部分，用于切换器件中的电信号。 在同一块先进的芯片中，微型晶体管通过复杂的铜布线方案相互电连接。这种布线方案称为铜互连，是芯片的重要组成部 分。 但近年来，芯片制造商在铜互连方面遇到了一些挑战和问题。基本上，铜互连中的细线在每个节点上变得更小、更紧凑， 从而可能在这种复杂的布线方案中产生电阻和其他问题。这会影响芯片的性能和可靠性。 预计在2纳米及以后的工艺节点，这些挑战将会加剧。为了解决这些问题和其他问题，应用材料公司的新工艺为开发用于2 纳米及以后先进芯片的复杂铜互 ...