宽带隙

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氮化镓,正在反超SiC?
半导体行业观察· 2025-08-12 00:52
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 来源:内容 编译自 IEEE 。 两种半导体——碳化硅和氮化镓——正展开一场(毫不夸张地说)激烈的竞争,争夺能够在最高温度 下工作的电路。碳化硅芯片曾一度占据领先地位,工作温度可达600°C。但氮化镓凭借其独特的特 性,使其在高温下性能更佳,现已超越碳化硅。宾夕法尼亚州立大学电气工程教授 Rongming Chu领 导的研究人员设计出一款可在800°C(足以融化食盐)下工作的氮化镓芯片。 这项进展可能对未来的太空探测器、喷气发动机、制药工艺以及许多其他需要极端条件下电路的应用 至关重要。阿肯色大学电气工程与计算机科学教授艾伦·曼图斯(Alan Mantooth)表示,碳化硅高温 芯片使科学家能够将传感器放置在以前无法放置的位置。曼图斯并未参与这项新的氮化镓研究成果。 他解释说,氮化镓芯片可以在监测天然气涡轮机、化工厂和炼油厂的能源密集型制造工艺以及迄今为 止尚未有人想到的系统方面发挥同样的作用。 他说:"我们可以将这种电子设备放置在硅根本无法想象的地方。" 碳化硅和氮化镓在如此极端条件下的性能潜力都来自于它们的宽带隙。宽带隙是材料价带(电子与分 子结合的位置)和 ...