公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 近 日 ， 华 为 和 山 东 大 学 的 作 者 发 布 了 一 篇 题 为 《 1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》的我论文。在文中，他们介绍一种 1200 V 全垂直 GaN-on-Si 沟槽 MOSFET，采用氟注 入终端（FIT-MOS）。FIT （fluorine implanted termination）区由于带有固定的负电荷而表现为高 电阻，可自然地将离散器件隔离，取代了传统的台面刻蚀终端（MET），消除了台面边缘的电场拥 挤效应。 结 果 显 示 ， FIT-MOS 的 击 穿 电 压 从 MET-MOS 的 567 V 提 升 至 1277 V 。 此 外 ， 所 制 备 的 FIT- MOS 具有 3.3 V 的阈值电压 (Vth)、约 10^7 的开关比 (ON/OFF ratio)，以及 5.6 mΩ·cm² 的比导 通电阻 (Ron,sp)。这些结果表明，GaN-on-Si 垂直晶体管在 kV 级应用中具有巨大的性价比潜力。 简介 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体 ...