β - 氧化镓单晶片是一种基于β - 氧化镓（β -Ga2O3 ）材料制成的半导体单晶片。β - 氧化镓是一种直接带隙的宽禁带氧化物半导 体，具有约 4.9 eV 的禁带宽度，具有优异的电气性能，如高击穿电场强度（ 8 MV/cm ）和高紫外透过率。这使得β - 氧化镓单晶 片在高功率、耐高压、紫外探测器等领域具有重要应用。与传统材料如 Si 、 SiC 和 GaN 相比，β - 氧化镓在制造超高功率元器件 时表现出更低的损耗，且具有更强的耐压性能，是未来高功率、高频、高温等高端器件的关键材料之一。 据 QYResearch 调研团队最新报告"全球β - 氧化镓单晶片市场报告 2024-2030 "显示，预计 2031 年全球β - 氧化镓单晶片市场规模 将达到 4.3 亿美元，未来几年年复合增长率 CAGR 为 27.6% 。 β- 氧化镓单晶片 ，全球市场总体规模 全球 β- 氧化镓单晶片 市场前十强生产商排名及市场占有率（基于 2 02 4 年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数 据为准） 根据 QYResearch 头部企业研究中心调研，全球范围内β - 氧化镓单晶片生产商主要包括 Novel C ...

以下文章来源于RimeData 来觅数据 ，作者来觅研究院 RimeData 来觅数据 . 全面的一级市场数据平台 导读：2025年5月21日，多家媒体称Wolfspeed准备提交破产申请，其股价当日暴跌超50%。目前，Wolfspeed面临高达 65 亿美元的债务 压力，而现金储备仅为13亿美元，偿债压力巨大。Wolfspeed如何从神坛跌落，由行业龙头沦落至破产？国内化合物半导体企业目前现状 如何？赛道内投融趋势有无变化？本文尝试分析和探讨。 01 Wolfspeed的前世今生 Wolfspeed的前身Cree成立于1987年，聚焦碳化硅材料在LED领域的商业化。2016年，Cree 出售 LED照明业务部，次年将微波射频业务独立为Wolfspeed 品 牌，专注于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术。Wolfspeed还通过收购英飞凌射频功率业务和布局8英寸碳化硅晶圆厂，市占率一度突破60%，确立了在 宽禁带半导体领域的领先地位。 Wolfspeed专注于碳化硅半导体材料及器件研发与制造，是全球唯一实现碳化硅衬底、外延片、器件全产业链垂直整合的企业。从产品类型上来看， Wolfspeed的主要产品覆盖 ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 据悉，破产主要原因是Wolfspeed目前面临巨大的债务压力，其总债务高达65亿美元，其中包括阿 波罗全球管理公司持有的15亿美元优先担保贷款。公司未能就债券重组达成协议，导致其财务状况 进一步恶化。该公司预计2026年的营收为8.5亿美元，低于分析师预期的9.587亿美元 ***************END*************** 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 5月21日消息，据外媒报道， 全球最大的SiC衬底制造商之一碳化硅功率器件巨头Wolfspeed正准备在未 来数周内申请破产！ Wolfspeed美股盘前暴跌超60%！ Wolfspeed是一家全球领先的碳化硅（SiC）功率器件和宽禁带半导体技术公司，成立于1987年， Wolfspeed最初是Cree公司旗下的第三代化合物半导体业务部门，专注于LED照明和半导体业务。 自2017年起，公司开始战略性转型，逐步剥离LED照明业务，专注于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN） 等宽禁带半导体材料及器件的研发和制造。2021年，Cree正式更名为Wolfspeed，成为 ...

以下文章来源于化合物半导体产业博览会CSE ，作者2025JFSC 化合物半导体产业博览会CSE . 打造全球化合物半导体产业风向标，CSE每年定期举办行业最高规格展会及专业高峰论坛（JFSC）为学 术界及全产业链提供高效的交流和展示服务，积极推动科学进步及化合物半导体产业发展。 作为全球化合物半导体领域旗舰级盛会， 2025九峰山论坛 将于 4月23-25日 在 武汉光谷科技会展中心 点燃创新引擎。 本届论坛除了重磅的主旨报告外，还通过 涵盖 从关键材料到AI赋能的EDA工具链，从光子神经网络到太赫兹通信技 术的 11大平行论坛 ，全方位解码产业技术演进密码。 点击查看 九峰山论坛 11 大平行论坛主题＆ 亮点一览 目前，通过定向邀约与公开征集审核的方式，已有 超100份 高质量重磅报告 确认，首批演讲嘉宾也正式公布如 下。 （九峰山论坛早鸟票价将于 3 月 20 日截止，想参会的观众抓紧购票啦 ~ ） 2024 九峰山论坛现场照片 11大平行论坛核心亮点抢先看 1. 前沿科技盛宴：直击半导体未来脉搏 聚焦神经形态计算、二维材料器件、硅光量子集成、宽禁带半导体大前沿领域，覆盖类脑芯片、第三代半导 体、先进封 ...

点击注册小程序 碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增 效的关键性材料。碳化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域替代和补充硅基技术。 相较于硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能优势突出，具备高 频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独 特的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使 其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在xEV及光伏等高性能应用领域 中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。 碳化硅材料在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有广阔的市场应用潜力 碳化硅材料通常被用于制作碳化硅衬底或碳化硅外延片，其中碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器 件、射频半导体器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括xEV、光 伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。 本订阅号中所涉及的证券研究信息由光大证券研究所编写，仅 ...