公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 摘要 本文介绍了VLSI Symposium 2025上发布的一项关键技术突破，通过原子级氟掺杂提升IGZO晶体管 在高温下的可靠性，实现395K、4MV/cm下ΔVTH小于44mV的性能，刷新氧化物晶体管的国际纪 录，该突破对IGZO晶体管在DRAM、存算一体、3D集成等应用场景，具有重要技术价值。 随着三维异质集成与先进逻辑技术的发展，如何提升氧化物薄膜晶体管的可靠性，成为实现CMOS后 端兼容电子器件的关键挑战。在本届 VLSI Symposium 2025 上，新加坡国立大学 Aaron Thean教 授联合龚萧课题组 展示了一项具有里程碑意义的工作 —— 首次通过原子级氟掺杂调控氢迁移机制， 成功实现了在高温（395 K）下正偏压不稳定性（PBTI）| ΔV TH |小于44 mV的IGZO晶体管，刷新 了氧化物晶体管的国际记录。 行业痛点与突破意义 1 氧化物薄膜晶体管，特别是铟镓锌氧（IGZO）薄膜晶体管，因其具备高迁移率、低漏电流、宽带隙 和低温可制造性，已在高端显示面板中得到广泛应用，并正在加速扩展至新一代存算集成系统与三维 异质集成芯片等前沿 ...