碳化硅具有高导热率(3倍于硅基材料)，散热效果好，理论上能耐受600℃高温，即使考虑封装材料的限 制，SiC功率器件也可以在200℃的温度下正常工作。此外，SiC材料还有很强的抗辐射能力，特别适用 于军用领域、太空环境等极端条件。 碳化硅功率器件主要包括：SiC二极管、SiC开关管和SiC功率模块。SiC二极管又分为SBD二极管、PiN 二极管和肖特基二极管(JBS)，SiC开关管分为SiCMOSFET、SiCJFET和SiCIGBT等；SiC功率模块分为 全SiC功率模块和混合SiC功率模块。 内容概要：碳化硅功率器件凭借其更低的导通电阻、更高的工作温度和工作电压等优异特性，在高压大 功率领域得到越来越多的应用,近年来市场增长显著。2025年全球功率半导体器件市场规模增长至374.5 亿元，碳化硅功率器件市场规模增长至28.3亿元，碳化硅功率器件市场渗透率扩大至7.56%；预计2026 年全球功率半导体器件市场规模有望达到407.8亿元，碳化硅功率器件市场规模有望增长至38.8亿元，碳 化硅功率器件市场渗透率有望扩大至9.51%。预计未来几年，全球碳化硅功率器件行业市场规模将继续 上升，市场渗透率也持续提升 ...