Core Insights - The year 2025 is projected to be the milestone for mass production of humanoid robots, with Gallium Nitride (GaN) semiconductors playing a crucial role in bridging the gap between laboratory prototypes and commercial applications [1][2] - GaN semiconductors outperform traditional silicon-based chips in terms of high frequency, energy efficiency, and high voltage tolerance, addressing key challenges in robotic joint drive precision, power density, and heat dissipation [1][2] Group 1: GaN Semiconductor Advantages - GaN chips exhibit significantly lower conduction losses (70% reduction compared to silicon devices) and higher switching speeds, making them ideal for robotic wrist joint drives [2][4] - The introduction of GaN technology allows for smaller device sizes, improved motor power, and enhanced dynamic control for humanoid robots, meeting the increasing market demand for higher load-bearing capabilities [3][4] - GaN's high power density enables robots to achieve practical applications, such as lifting heavy objects, which exceeds the capabilities of silicon chips [3][4] Group 2: Industry Developments and Applications - Major companies like Texas Instruments are focusing on GaN applications in humanoid robots, highlighting its potential for high-precision motor control at elevated PWM frequencies [4] - InnoSilicon has successfully integrated GaN products into various core components of humanoid robots, achieving a 30% power increase and a 5% improvement in conversion efficiency [4][8] - The introduction of GaN technology is expected to significantly reduce the size of power supplies by 30%, optimizing the limited space available in robots [8] Group 3: Market Potential and Future Outlook - The humanoid robot industry is on the brink of explosive growth, with projections indicating that the market could be 100 times larger than that of electric vehicles in the next five years [10][11] - Each humanoid robot may require approximately 300 GaN devices, with the potential for this number to exceed 1000 as performance and power density improve [11] - The market for humanoid robots is anticipated to evolve into a multi-billion dollar industry within five years, with long-term projections suggesting a trillion-dollar market for household smart devices [11]

650V 高压平台：聚焦电源适配器、电机控制器、光伏逆变器等对能效要求苛刻的领域； 近期，全球领先的氮化镓（GaN）功率芯片企业纳微半导体（Navitas Semiconductor）提交的一份合作文件，在全球化合物 半导体行业掀起轩然大波。文件披露，其长期核心合作伙伴 —— 全球晶圆代工巨头台积电（TSMC）计划于 2027 年 7 月 正式终止氮化镓晶圆生产业务。与此同时，纳微半导体宣布与力积电达成合作，共同推进业内领先的 8 英寸硅基氮化镓技 术量产。这一系列动态，预示着全球氮化镓代工格局或将迎来重塑。 01 台积电的氮化镓征程 在氮化镓技术从实验室走向产业化的浪潮中，台积电并非简单的追随者，而是凭借深厚的CMOS 制造经验与前瞻视野，成 为硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线产业化的关键推动者。 台积电的氮化镓布局可追溯至2011 年。当时，氮化镓功率器件尚处于商业化前夜，台积电基于对未来能源效率升级与高频 通信需求爆发的预判，率先启动技术研发。历经四年攻坚，2015 年成功实现 GaN-on-Si 工艺量产，一举构建起覆盖多电压 等级的完善技术平台： 100V 中压平台：瞄准服务器电源、笔记本供 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务； 力积电趁势接下Navitas的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸 GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科 通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串动作，正将GaN推向新 一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球 能源转型与高能效驱动的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲 等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向 电动汽车主驱系统等高压核心场景？ 尽管台积电正在退出GaN代工，但是另一边英飞凌却正在加大投入。据英飞凌新闻稿称，凭借其强 大的IDM模式，英飞凌正在推进其在300毫米晶圆上的可扩展GaN生产，首批客户样品计划于2025 年第四季度发布。 英飞凌已成为首家在其现有量产基础设施内成功开发30 ...

7.43 元 当日主力成本 高测股份688556 时间: 2025年7月10日星期四 64.59分综合得分 较强 趋势方向 主力成本分析 7.31 元 5日主力成本 6.95 元 20日主力成本 6.74 元 60日主力成本 周期内涨跌停 过去一年内该股 涨停 2次 跌停 0 次 北向资金数据 | 持股量520.41万股 | 占流通比1% | | --- | --- | | 昨日净买入-97.47万股 | 昨日增仓比-0.188% | | 5日增仓比-0.253% | 20日增仓比-0.305% | 技术面分析 7.45 短期压力位 短期支撑位 7.45 中期压力位 6.40 中期支撑位 目前短线趋势不慎明朗，静待主力资金选择方向； 目前中期趋势不慎明朗，静待主力资金选择方向 K线形态 ★多方炮★ 在底部出现有上涨可能，在中间出现有可能是上涨中继，顶部出现是复合见顶信号 资金流数据 2025年07月10日的资金流向数据方面 7.12 | 主力资金净流入92.88万元 | | --- | | 占总成交额1% | | 超大单净流入123.76万元 | | 大单净流出30.87万元 | | 散户资金净流入17.73 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务；力积电趁势接下Navitas 的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项 目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串 动作，正将GaN推向新一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球能源转型与高能效驱动 的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来 制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向电动汽车主驱系统等高 压核心场景？ 台积电抽身，力积电接棒 台积电在7月3日发表声明称，决定在两年内逐步淘汰其GaN半导体代工业务，分析师表示，此举是由于来自中国的竞争侵 蚀了该产品的利润率。由于对GaN低利润前景感到担忧，台积电已决定逐步淘汰其GaN业务，并停止200毫米晶圆生产的 研 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 自2024年年中完成收购氮化镓（GaN）电力半导体全球供应商Transphorm以来，日本芯片巨头瑞 萨并不急于披露公司在这方面的规划。 不过在收购宣布完成的时候，原瑞萨电子高级副总裁兼电源总经理 Chris Allexandre 曾表示："通 过集成外公司技术的交钥匙设计，客户可以立即从新的GaN 产品中受益。将GaN 添加到我们的产 品配置中也加强了我们致力于开发让人们的生活更轻松的产品和技术的承诺。提供强大的可持续的 电源成本解决方案，节省能源、减少并最大限度地减少对环境的影响，这就是我们实现这一目标的 途径。" 近日，Kenny Yim, Senior Director of GaN/Power at Renesas终于带来了该公司在GaN方面的最 新产品和分享。 高功率GaN，大有可为 虽然和SiC一样都是被称为第三代半导体，但在过去很长一段时间，不少人认为GaN只能聚焦在中 低功率应用，而大功率应用只能是前者独占的领地。但在Kenny Yim看来，这种看法并不全对， 这也正是瑞萨GaN区别于其他供应商的地方。据介绍，基于公司在E-Mode GaN的布局，瑞 ...

中宜创芯公司自2023年5月成立以来，便致力于碳化硅半导体材料的研发与生产。在此次纯度提升之 前，中宜创芯的碳化硅粉体纯度已达到7N8（99.999998%）水平，吸引了30多家企业和研究机构试用和 验证。 为实现纯度的再次突破，2024年12月以来，中宜创芯的技术团队引进国内行业首台新型无污染碎料装 置，并采用先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术，不断优化研发流程，不仅将碳化硅粉体纯度提 升至8N8，还将正品率由55%增至85%，彻底攻破"卡脖子"难题。 "随着碳化硅粉体纯度成功提升，集团公司正加速推进其产业化进程。"中宜创芯技术总监杨正宏说，该 公司的碳化硅半导体粉体产品具有颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，特别适合8英 寸碳化硅厚单晶晶锭的生长。目前，产品已得到浙江材孜、江苏超芯星、山东粤海金等国内知名企业验 证使用。 中化新网讯 7月3日，从中国平煤神马集团传来消息，该集团旗下中宜创芯公司于近日成功将碳化硅半 导体粉体纯度突破8N，最高达到8N8（99.9999998%）。"碳化硅半导体粉体纯度的提高，标志着我国在 高端半导体材料领域实现重大突破，为芯片产业自主化注入强劲动力。"中国平 ...

Core Viewpoint - Wolfspeed, a pioneer in the semiconductor industry, has filed for bankruptcy due to overwhelming debt and inability to adapt to market changes, particularly the rise of Chinese competitors [3][22]. Group 1: Company Background - Wolfspeed was once the largest manufacturer of silicon carbide (SiC) substrates, with a peak market value of $16.5 billion (approximately 120 billion RMB) [3]. - The company originated from Cree Research, founded in 1987, and became a leader in the LED market before transitioning to SiC technology [8][12]. - Wolfspeed's market share in SiC substrates was as high as 80% in the past, but it has significantly declined to 33.7% by 2024 due to increased competition from Chinese firms [16]. Group 2: Financial Struggles - As of March, Wolfspeed had approximately $1.33 billion in cash reserves but faced $6.5 billion in debt, leading to severe liquidity issues [20]. - The company has reported net losses for ten consecutive years, with losses escalating from $280 million in FY 2018 to $864 million in FY 2024 [21]. - In May 2025, Wolfspeed's stock plummeted by 57%, resulting in a market value loss exceeding $1 billion [21]. Group 3: Market Dynamics - The demand for SiC semiconductors surged in sectors like electric vehicles and renewable energy, with over 60% of the demand coming from the EV market [20]. - Despite the high demand, Wolfspeed's expansion efforts did not yield the expected orders, particularly as the EV market faced a slowdown [20]. - The company's strategy of aggressive capacity expansion did not align with market realities, leading to underutilization of its new facilities [22][23]. Group 4: Competitive Landscape - Chinese competitors have leveraged their mature manufacturing capabilities to challenge Wolfspeed, which failed to adequately address the Chinese market's dynamics [3][24]. - Other global players, such as STMicroelectronics and Infineon, have pursued vertical integration and partnerships with Chinese firms, further intensifying competition [17].

| 工商信息 @ 自金配工具快报 | | | | | 00 0 0天眼直 品 2005-9 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 企业名称 | 或和市基本产业补漏较投股新疆企合伙企业《判限合伙》 | | | | | | 的行事务合伙人 | 我到用瑞田红土製权股股票全覆 M 理有限公司 | 腰记就变() | 行续 | 天眼停分 | 993 | | | 委颁代表:献得 (走蛋于中国也) | 成立日期 | 2025-04-29 | | | | 统一社会信用代码() | 91440300MAEH02F09K | 用密酸 | 360000万人民币 | 女魔案社 | | | 工商注册号 | 440300225635270 | 快税人讲频导 | 91440300MAEH02F09K | 姐识机构代码 () | MAEH02F0-9 | | 数业增限 | 2025-04-29 蓝 2040-04-30 | 纳税人造质 | | 核准日期 | 10 | | 企业类型 | 有限合伙企业 | 行业 | 资本市场服务: | 人民规模 | | | ●個人数 | | 英文巴称 | | | | ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容来自工商时报 。 随 着 AI 算 力 需 求 暴 增 ， 资 料 中 心 电 力 架 构 正 迎 来 十 年 最 大 升 级 ， 英 伟 达 领 军 的 800V 高 压 直 流 （HVDC）技术，预计2027年全面导入兆瓦级AI机柜，将牵动第三代半导体代工版图重组。台积 电（2330）日前宣布两年内逐步退出氮化镓（GaN）市场，其大客户纳微半导体（Navitas）急寻 新来源，多方角力下，台系功率元件、电源管理芯片产业链将迎新竞争格局。 将外部工业用交流电转换为800V直流电，可使相同尺寸导线传输功率增加85％；相较于传统架 构，英伟达800V HVDC，主要差异在于多一道800V直流电降压至54V直流电的程序，法人分析， 该架构需使用高规的耐高压PMIC（电源管理IC），但在个别Compute Tray则沿用原先中低压 PMIC即可。 未来Compute Tray中的Power IC需求将提升，如记忆体电压必须由54伏转到12伏。尽管目前为海 外业者如英飞凌、MPS的天下，但台厂致新（8081）、茂达（6138）持续抢攻，从一般型伺服器 入局，有望 ...