芯片制造光刻技术

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超越EUV光刻,新进展
半导体行业观察· 2025-09-18 02:09
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 众所周知,当今几乎所有芯片都是使用光刻技术打造。而最先进的芯片则是基于 EUV 光刻,其 工作波长为 13.5 nm,可以产生小至 13nm(0.33 数值孔径的Low NA EUV)、8nm( 0.55 NA 的High NA EUV),甚至 4nm ~ 5nm( 0.7 – 0.75 NA 的Hyper NA EUV)的特征,但代 价是光刻系统极其复杂,具有非常先进的光学元件,耗资数亿美元。 于是研究人员正在寻找更好的方法,"Beyond-EUV"就成为了不少厂商研究的方向。 据《Cosmos》援引《自然》杂志发表的一篇论文报道,约翰霍普金斯大学的研究人员公布了一种新 的芯片制造方法,该方法使用波长为 6.5nm ~ 6.7nm 的激光(也称为Soft X ray),可以将光刻工具 的分辨率提高到 5nm 及以下。 科 学 家 将 他 们 的 方 法 称 为 "Beyond-EUV" ( BEUV ) —— 这 表 明 他 们 的 技 术 可 以 取 代 行 业 标 准 的 EUV 光刻技术——但研究人员承认,他们目前还需要数年时间才能制造出哪怕是实验性的 ...