铁电氧化铪(HfO₂)技术

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一种颠覆性发明,重新定义DRAM
半导体行业观察· 2025-04-09 01:19
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来 源:内容 编译自tomshardware,谢谢。 铁电存储器公司(FMC) 已与Neumonda联手在德国重新建立所谓的 DRAM+ 生产。英飞凌和奇梦达 在德国开发和生产动态随机存取存储器已有一段时间了,因为在欧洲生产商品存储器变得特别无利 可图。然而,新的 FMC 和 Neumonda 合资企业将专注于针对特定应用的非易失性 FeRAM。 FMC 专注于存储器,该存储器使用铁电氧化铪 (HfO₂) 来创建无需电源即可保留数据的 DRAM+。 该技术用非易失性电容器取代了 DRAM 中的典型电容器,在保持高性能的同时提高了能效和数据保 留率。FMC 认为其存储器可用于广泛的应用,包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗。 较旧的 FeRAM 技术(通常使用锆钛酸铅 (PZT) 作为铁电层)容量有限。大多数商用产品最多只有 几 兆 字 节 , 4MB 或 8MB 相 当 常 见 。 PZT 无 法 随 着 工 艺 节 点 的 缩 小 而 很 好 地 扩 展 , 并 且 与 标 准 CMOS 工艺的集成既困难又昂贵。因此,像 1T1C(一个晶体管,一个电容器)这样的单元 ...