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BioSyent Releases Financial Results for First Quarter 2025
Globenewswire· 2025-05-15 21:45
MISSISSAUGA, Ontario, May 15, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- BioSyent Inc. (“BioSyent”, TSX Venture: RX) released today its financial results for the first quarter (Q1) ended March 31, 2025. Key highlights include: (CAD)Q1 2025% Change vs. Q1 2024Trailing Twelve Months (TTM) Mar 31, 2025% Change vs. TTM Mar 31, 2024Canadian Pharma Sales9,159,652+21%34,544,657+13%International Pharma Sales1,535,216<td colspan="2" style="border-right: solid black 1pt ; text-align: right ; ...
华为展示 eFlash 的替代方案,VLSI 2025亮点曝光
半导体行业观察· 2025-04-23 01:58
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 最新消息显示,第 45 届 VLSI 技术与电路研讨会将于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京 都丽嘉皇家酒店举行。 按照VLSI官方所说,今年研讨会的主题是"培育超大规模集成电路花园:从创新种子到蓬勃发 展",旨在整合先进技术发展、创新电路设计及其所赋能的应用,共同推动全球社会向智能互联设 备、基础设施和系统新时代转型,从而改变人类互动方式。 据"芯思想"总结道,VLSI 2025共录用常规论文251篇(包括1篇Late News论文),其中VLSI技 术组录用常规论文104篇(包括1篇Late News论文,来自imec);VLSI电路组录用常规论文141 篇。另有邀请论文12篇,以及4篇全体报告。 当中,美国录用57篇,排名第一;韩国录用54篇,排名第二;中国大陆(包括内地、香港、澳 门)共录用52篇,排名第三;中国台湾录用23篇,排名第四;日本录用20篇,排名第五;比利时 录用15篇,排名第六;新加坡录用10篇,排名第七;荷兰录用9篇,排名第八;爱尔兰、瑞士、意 大利各录用3篇,并列第九;德国、法国各录用1篇,并列第十二位。 值得一提的是,当中有 ...
华为展示 eFlash 的替代方案,VLSI 2025亮点曝光
半导体行业观察· 2025-04-23 01:58
最新消息显示,第 45 届 VLSI 技术与电路研讨会将于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京 都丽嘉皇家酒店举行。 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 按照VLSI官方所说,今年研讨会的主题是"培育超大规模集成电路花园:从创新种子到蓬勃发 展",旨在整合先进技术发展、创新电路设计及其所赋能的应用,共同推动全球社会向智能互联设 备、基础设施和系统新时代转型,从而改变人类互动方式。 据"芯思想"总结道,VLSI 2025共录用常规论文251篇(包括1篇Late News论文),其中VLSI技 术组录用常规论文104篇(包括1篇Late News论文,来自imec);VLSI电路组录用常规论文141 篇。另有邀请论文12篇,以及4篇全体报告。 当中,美国录用57篇,排名第一;韩国录用54篇,排名第二;中国大陆(包括内地、香港、澳 门)共录用52篇,排名第三;中国台湾录用23篇,排名第四;日本录用20篇,排名第五;比利时 录用15篇,排名第六;新加坡录用10篇,排名第七;荷兰录用9篇,排名第八;爱尔兰、瑞士、意 大利各录用3篇,并列第九;德国、法国各录用1篇,并列第十二位。 值得一提的是,当中有 ...
一种颠覆性发明,重新定义DRAM
半导体行业观察· 2025-04-09 01:19
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来 源:内容 编译自tomshardware,谢谢。 铁电存储器公司(FMC) 已与Neumonda联手在德国重新建立所谓的 DRAM+ 生产。英飞凌和奇梦达 在德国开发和生产动态随机存取存储器已有一段时间了,因为在欧洲生产商品存储器变得特别无利 可图。然而,新的 FMC 和 Neumonda 合资企业将专注于针对特定应用的非易失性 FeRAM。 FMC 专注于存储器,该存储器使用铁电氧化铪 (HfO₂) 来创建无需电源即可保留数据的 DRAM+。 该技术用非易失性电容器取代了 DRAM 中的典型电容器,在保持高性能的同时提高了能效和数据保 留率。FMC 认为其存储器可用于广泛的应用,包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗。 较旧的 FeRAM 技术(通常使用锆钛酸铅 (PZT) 作为铁电层)容量有限。大多数商用产品最多只有 几 兆 字 节 , 4MB 或 8MB 相 当 常 见 。 PZT 无 法 随 着 工 艺 节 点 的 缩 小 而 很 好 地 扩 展 , 并 且 与 标 准 CMOS 工艺的集成既困难又昂贵。因此,像 1T1C(一个晶体管,一个电容器)这样的单元 ...