国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 12月17日消息，三星宣布，该公司及其三星先进技术研究所成功开发出一种新型晶体管，能够在 10nm以下的制程节点上生产 DRAM ，这个突破将 解决行动 RAM 扩展中的关键挑战。 这项技术的重点在于实现小于1 0nm的 DRAM 制程，这对于行动 RAM 来说是一个重要的障碍，因为传统的扩展方法已经达到物理极限。 三星的这项创新专注于 0a 和 0b 类 DRAM ，这些新型内存有望显著提升未来装置的容量和性能。根据报导，这项技术仍处于研究阶段，未来将应用于小 于 10 奈米的 DRAM 产品。 在此次宣布中，三星介绍了其名为「高耐热非晶氧化物半导体晶体管」的技术，该晶体管能承受高达摄氏 550 度的高温，进而防止性能下降。这种垂直信 道晶体管的信道长度为 100 奈米，并可与单片 CoP DRAM 架构集成。 在测试中，该晶体管的排水电流几乎没有衰退，并且在老化测试中表现良好。这个技术的推出，将使三星在高密度内存市场中更具竞争力，并可能在 2026 年及以后的装置中首次亮相。 ********* ...