史上最严重存储芯片短缺来袭！高盛上调供需紧张预期，警告2026年DRAM将现15年最大缺口， NAND短缺创纪录。AI服务器需求爆发占据DRAM过半供应。分析师警告，即使在智能手机和PC需求 大幅下滑的极端情景下，强劲的服务器需求仍能吸收冲击，维持市场紧张格局。令人意外的是，高盛在 发布这份看多存储器行业的报告同时，却下调了美光评级至中性，目标价235美元，理由是"大部分利好 已被价格消化"。 高盛警告，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。 高盛在2月8日的报告中表示，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一， DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。更重要的是，即使在智能手机和PC需求大幅下 滑的极端情景下，强劲的服务器需求仍能吸收冲击，维持市场紧张格局。 然而令市场意外的是，高盛在发布这份看多存储器行业的报告同时，却下调了美光评级至中性，目标 价235美元，理由是"大部分利好已被价格消化"。对投资者而言，这意味着存储器行业景气度确定性 强，但个股估值分化加剧，三星电子、SK海力士等标的更具配置价值。 DRAM供应缺口创15年最严重水平 高盛大幅上调了D ...

存储的涨价潮仍在持续！ 2月9日，市场研究公司Counterpoint表示，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%—90%，迎来前所未有 的创纪录暴涨。 另外，高盛大幅上调了DRAM供应短缺预期，并发出警告称，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短 缺前夜。而在几天之前，TrendForce集邦咨询全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季度增长幅度， 预估整体Conventional DRAM合约价将从1月初公布的季增55%—60%，改为上涨90%—95%。 此外，TrendForce集邦咨询最新数据显示，受惠于AI浪潮的推升，存储器与晶圆代工产值均将在2026年同步创 下新高。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响，产值规模大幅扩张至5516亿美元。尽管晶圆代工产值同步创 下2187亿美元的新高纪录，但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的2倍以上。 上一次存储器超级循环落在2017—2019年，主要由云端数据中心建置需求所驱动，存储器产值当时也与晶圆代 工拉开了显著差距。然而，此次由AI需求驱动的循环与前一次相比，缺货的状况更为全面。AI产业重心由模 型训练转向大规模推理应用，更强调实 ...

2月9日，算力硬件方向爆发，芯片股集体起立，上证科创板芯片指数全链布局芯片产业，囊括的50只成 份股47只收涨，33股涨超2%，芯片设计方向涨幅居前，芯原股份领涨14.87%，澜起科技涨超6%，寒武 纪-U涨近5%，海光信息涨超3%。全"芯"科创芯片ETF华宝（589190）高开高走，场内价格收涨逾3%， 收复5日线，环比放量。 | 分时 多日 1分 5分 15分 · | | | | F9 盘前盘后 叠加 九转 面线 工具 @ 2 | | 科创芯片ETF华宝 O | | 589190 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 589190(科创芯片ETF华室] 15:00 价 0.953 涨跌 0.030(3.25%) 均价 0.942 ... 0.953 | | | | | | 0.953 | | +0.030 +3.25% | | a managaman manager manager and | | | | | | SSE CNY 15:00:15 闭击 | | 7 0 H | | | | | | | 1.64% | 净值走势 ...

证券研究报告 行业研究 / 行业点评 2026 年 02 月 09 日 电力设备 一年内行业指数与沪深 300 指数对比走势： 资料来源：聚源数据，爱建证券研究所 相关研究 《数据中心供配电设备行业跟踪：甲骨文资本 开支环比高增，DRAM 价格小幅回落》 2026-02-03 《锂电行业跟踪：碳酸锂价格下跌，储能电芯 均价持续上涨》2026-02-03 《光储行业跟踪：电网侧独立新型储能容量电 价机制建立，光伏组件价格持续上涨》 2026-02-03 《电新行业 2025Q4 公募基金持仓分析》 2026-01-28 《数据中心供配电设备行业跟踪：韩国半导体 出口同比大幅增长，DRAM 价格持续上涨》 2026-01-27 朱攀 S0820525070001 021-32229888-25527 zhupan@ajzq.com 陆嘉怡 S0820124120008 021-32229888-25521 lujiayi@ajzq.com 行业及产业 海外主要云厂商资本开支持续增长， DRAM 价格小幅回落 ——数据中心供配电设备行业跟踪 强于大市 投资要点： 数据中心已成为电力设备行业核心增量应用场景，其发展趋 ...

存储涨价潮，正从DRAM蔓延向NAND。 继1月三星电子将NAND闪存合约价格上调100%以上后，2月以来，多家市场研究机构纷纷上修了对 NAND闪存价格的预测。 2月2日，TrendForce集邦咨询上修了第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，NAND Flash 合约价从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。 Counterpoint也在2月3日表示，根据该机构的2026年1月存储价格追踪报告，NAND闪存价格预计将在本 季度上涨超过40%。 "闪存涨价主要还是AI需求量太大了。"IO资本创始合伙人赵占祥对21世纪经济报道记者表示，AI推理 以及最新一代AI大模型倾向于在推理过程中做一些训练，双双带动了闪存的需求。 推理催化闪存需求 随着生成式AI从训练阶段全面迈入大规模推理应用，NAND闪存需求一路走高。 AI对NAND的需求，主要来自RAG（检索增强生成）：为了解决大语言模型普遍存在的"幻觉"痛点，能 够通过检索外部知识库来增强生成准确性的企业级RAG应用正加速渗透落地。 然而，这要求企业将TB乃至PB级的私有知识库进行向量化并持久化存储。在推理阶段，系 ...

供应消息 华邦电子：今年一季度DRAM合约价延续大涨近50%的涨幅，今年产能已全数售罄，接下来高雄路竹厂 新增的DDR4、LPDDR4产能也已全数售罄。 注：全文732字 预计浏览1分钟。 HMB4：三星将于2月第三周正式向英伟达出货第四代高带宽记忆体（HBM4），成为全球首家向客户 交付量产版HBM4的业者。 项目技术 泽石科技葛店工业园：主体结构已完成100%，计划2026年建成投产运营。项目总投20亿元，一期投产 后计划实现年产SSD模组600万片；二期将聚焦闪存芯片封装测试环节，目标达成年产存储控制器芯片 600万片的产能规模。 企业动态 强一股份：发布公告，已签订了协议，计划投资不低于7.5亿元建设集成电路玻璃基板及器件的研发、 生产和销售项目。 长飞先进：宣布完成超10亿元A+轮股权融资。本轮融资由江城基金等机构参投，融资资金将主要用于 碳化硅功率半导体全产业链技术布局。 芯联集成：与浩思动力达成战略合作，未来5年内双方合作的技术产品预计覆盖约10款混动车型。 澜起科技：在港交所挂牌上市。其发行价为每股106.89港元（约合人民币94.86元），开盘价为每股 168.00港元（约合人民币149.0 ...

集邦表示，上一次记忆体超级循环是落在2017-2019年，当时由云端资料中心建置需求所驱动，记 忆体产值当时也与晶圆代工拉开显著差距。 以下文章来源于TrendForce集邦 ，作者TrendForce TrendForce集邦 . TrendForce集邦咨询是一家全球高科技产业研究机构，研究领域横跨存储器、AI服务器、集成电路与半 导体、晶圆代工、显示面板、LED、AR/VR、新能源（含太阳能光伏、储能和电池）、AI机器人及汽 车科技等，提供前瞻性行业研究报告、产业分析 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 集邦科技今日发布最新调查指出最，受惠于AI浪潮的推升下，记忆体与晶圆代工产值皆将在2026 年同步创新高。记忆体产业受到供给吃紧与价格飙升，带动产值规模大幅扩张至5,516 亿美元。尽 管晶圆代工产值同步创下2,187 亿美元的新高纪录，但记忆体产值规模已攀升至晶圆代工的2 倍以 上。 从晶圆代工产能结构来看，尽管先进制程单价高昂，驱动整体产业近年持续成长，然受限于极高的 技术门槛与资本支出，供应商呈现高度寡占，导致产能规模无法轻易扩张的情况下，即便单价惊 人，其对整体产值贡献的仍不及相对疲弱的成 ...

高盛警告，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。 据追风交易台信息，高盛在2月8日的报告中表示，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺 口均大幅扩大。更重要的是，即使在智能手机和PC需求大幅下滑的极端情景下，强劲的服务器需求仍能吸收冲击，维持市场紧张格局。 然而令市场意外的是，高盛在发布这份看多存储器行业的报告同时，却下调了美光评级至中性，目标价235美元，理由是"大部分利好已被价格消化"。对投 资者而言，这意味着存储器行业景气度确定性强，但个股估值分化加剧，三星电子、SK海力士等标的更具配置价值。 DRAM供应缺口创15年最严重水平 高盛大幅上调了DRAM供应短缺预期。 最新预测显示，2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%。其中，2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重 的一次。 驱动这一紧张局面的核心因素在于服务器需求的爆发式增长。 分析师认为，英伟达在CES 2026上推出的ICMSP（推理上下文存储平台）架构将创造大量新增NAND需求。 基于每个GPU增加 ...

智能手机厂商正在削减设备 DRAM 容量，或采用性价比更高的 QLC 方案替代 TLC。与此同时，目前供应紧张的 LPDDR4 订单明显下滑，而支持最新 DRAM 标准的全新入门级芯片陆续推出，带动 LPDDR5 订单持续增长。 为应对这一市场变化，OEM 正减少单款设备的内存配置，或优先推出搭载 LPDDR5（IT之家注：这一品类受影响相对较小）的高端产品线。 IT之家 2 月 9 日消息，市场研究公司 Counterpoint Research 在当地时间 2 月 2 日的《2 月内存价格追踪报告》中指出，在 2026Q1 尚未结束的情况下，存储 半导体产品价格目前已相较 2025Q4 上涨多达 90%，一般 DRAM、HBM、NAND 的价格均创下历史新高，存储半导体迎来前所未有的创纪录暴涨。 本轮上涨的主要推手是通用服务器 DRAM 价格大幅攀升，64GB RDIMM 的价格已从 450 美元升至 900 美元，且有望在 2026Q2 涨至 1000 美元上方。此 外，2025Q4 表现相对平稳的 NAND 闪存在第一季度也同步上涨 80~90%。叠加部分 HBM3e 产品价格走高，市场正呈现全品类、 ...

智能手机厂商正在削减设备 DRAM 容量，或采用性价比更高的 QLC 方案替代 TLC 固态硬盘。与此同时，目前供应紧张的 LPDDR4 订单明显下滑，而支持最新 DRAM 标准的全新入门级芯片陆续推出，带动 LPDDR5 订单持续增长。 Jeongku Choi进一步指出："存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025 年第四季度，DRAM 营业利润率已达到 60% 区间，这是通用 DRAM 利润率首次超过 HBM。2026 年第一季度，DRAM 利润率将首次突破历史峰值。尽管如此，这 一水平要么成为新的常态，要么形成极高的基准 —— 当前看似稳固，但一旦进入下一轮下行周期（若发生），市场表现可 能会更加惨淡。" 据Counterpoint《2月内存价格追踪报告》显示，截至 2026 年第一季度，内存价格环比上涨 80%–90%，迎来前所未有的创 纪录暴涨。本轮上涨的主要推手是通用服务器 DRAM 价格大幅攀升。此外，第四季度表现相对平稳的 NAND 闪存，在第 一季度也同步上涨 80%–90%。叠加部分 HBM3e 产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。 高级分析师Jeongku ...