公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。该氮化 镓Chiplet技术具有以下特点： 英特尔认为，这项工作中展示的技术要素表明，300mm GaN-on-silicon 技术是一种有吸引力且功能 强大的Chiplet技术，适用于高性能、高密度、高效功率和高速/射频电子产品。 引言 随着计算解决方案向更高功率扩展以应用于图形和服务器平台，以及新兴的 5G/6G 通信不断提高数 据速率，氮化镓 (GaN) 和先进的 3D 封装等半导体技术在提供超越当前硅和 III-V 族技术的更高性 能、更高效率、更高集成度和更高密度方面，正发挥着越来越重要的作用。 在此前，就有专家提出了 300mm GaN-on-silicon 技术，由于其卓越的性能指标 (FoM) 以及将低电 压至 48V GaN 与硅 CMOS 集成的能力，正成为高密度、高性能功率和高速/射频电子器件领域极具 本文展示了实现基于 300mm 硅基 GaN 工艺的 GaN Chiplet技术所需的技术要素。图 2 展示了 GaN Chiplet集成的示 ...