半导体先进封装产业解读 20260308 摘要 先进封装已成为超越摩尔定律的关键路径，通过倒装、TSV、RDL 等技 术解决 7nm 以下制程漏电功耗高、成本指数级增长及算力传输损耗等 物理瓶颈。 CoWoS-S 凭借硅中介层与 TSV 实现高性能互联，是 NVIDIA H100/A100 及 AMD MI300 等旗舰 AI 芯片的主流方案，但成本较高。 CoWoS-L 通过硅桥局部互联平衡性能与成本，目前在台积电为英特尔 提供的 2.5D 封装中占比约 60%，是未来超大尺寸 AI 芯片及国内华为升 腾、寒武纪等工艺迁移的方向。 CoPoS 技术以矩形面板替代圆形硅中介层，可将材料利用率从 70%- 75%提升至 100%，台积电计划 2026 年试产、2027 年量产，盛合晶 微、长电、甬矽处于调研打样阶段。 国内现阶段 CoWoS 形态严格意义上属于 2.5D 水平集成，长电科技 XDFOI 已布局类似 2.5D CoWoS 形态，而 3D 垂直集成（如 HBM）仍 需中介层具备功能性实现。 CoWoP 旨在取消昂贵的基板环节，直接将芯片组合安装至 PCB，但受 限于热膨胀系数差异及信号线宽要求，目前 ...