专利摘要显示，一种掩膜版图及其图形添加方法，掩膜版图包括：有效图形，位于所述图案区域中，且 所述有效图形的延伸方向与最佳解析度方向相平行；虚拟图形，位于所述空白区域中，且所述虚拟图形 的延伸方向与所述有效图形的延伸方向之间具有角度。能够让虚拟图形在其延伸方向上的解析度较差， 使得虚拟图形在晶圆上进行光刻工艺的过程中不成像，同时，虚拟图形在晶圆上进行光刻工艺的过程中 不成像，能够最大化利用光刻照明条件对虚拟图形线宽的容许度，使虚拟图形不被成像的同时，还能让 虚拟图形的线宽最大化，降低了掩膜版图中的虚拟图形出现倒塌或者脱落的风险，从而在满足虚拟图形 在晶圆上不被成像的同时，还能提高掩膜版图的制作良率和可靠性。 声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。 国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为"掩膜版图及其图形 添加方法"的专利，公开号CN121454857A，申请日期为2024年7月。 来源：市场资讯 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从 事计算机、通信和其他电子设备制造业为 ...