沟槽MOS

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通威微电子申请沟槽 MOSFET 器件及其制作方法专利,大幅降低栅氧失效概率
Jin Rong Jie· 2025-05-17 05:36
金融界 2025 年 5 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,通威微电子有限公司申请一项名为"一种沟 槽 MOSFET 器件及其制作方法"的专利,公开号 CN119997567A,申请日期为 2025 年 4 月。 专利摘要显示,本申请提供了一种沟槽 MOSFET 器件及其制作方法,涉及半导体技术领域。包括 N 型 衬底;第一 N 型外延层;位于第一 N 型外延层表层的氧化物层,氧化物层中设置有低 K 介质层;位于 第一 N 型外延层表面的第二 N 型外延层,第二 N 型外延层设置有沟槽区;沟槽区设置有栅氧层与栅极 多晶硅,栅氧层位于沟槽区的侧壁,并环绕栅极多晶硅设置,栅极多晶硅的底部与氧化物层接触;位于 第二 N 型外延层内的 P 型阱区与位于第二 N 型外延层表层的 N 型掺杂区与 PP 区,位于栅极多晶硅表 面的层间介质层;位于 PP 区与 N 型掺杂区表面的欧姆接触层,位于欧姆接触层与层间介质层表面的第 一金属层。本申请具有大幅降低栅氧失效概率,提高栅氧可靠性及器件鲁棒性的优点。 天眼查资料显示,通威微电子有限公司,成立于2021年,位于成都市,是一家以从事计算机、通信和其 他电子设备制造业为主 ...
【招商电子】新洁能:25Q1营收稳健增长,关注汽车等成长性下游贡献
招商电子· 2025-04-27 12:51
点击招商研究小程序查看PDF报告原文 新洁能25Q1营收4.5亿元,同比+21%/环比-5%,毛利率37%,同比+2pcts/环比+1pcts。公司发布2024 年报和2025年一季报,结合公告信息,点评如下: 公司25Q1营收同比稳健增长,单季毛利率保持相对稳定状态。 2024年:营收18.28亿元,同比 +23.83%,全年中低压产品价格得到修复,归母净利润4.35亿元,同比+34.5%,毛利率36.42%,同比 +5.67pcts,Q1-Q3毛利率逐季环比提升,Q4毛利率环比略有下降主要系产品结构调整影响,净利率 23.57%,同比+2.05pcts。25Q1:营收4.49亿元,同比+20.81%/环比-5.01%,归母净利润1.08亿元,同比 +8.2%/环比+5.76%,同比增速低于收入增速主要系研发费用增加和利息收入减少等因素影响,毛利率 36.58%,同比+1.82pcts/环比+0.61pct,净利率23.88%,同比-2.71pcts/环比+2.45pcts。 24年SGT MOS占比提升,全年产品销量增长抵消部分价格下降因素影响。 分产品类型看:1)SGT- MOS:24全年营收7.8亿元 ...