此次研究中，利用"闪速退火"工艺，研究人员可仅用1秒钟，就能在硅晶圆上制备出一种名为锆酸铅的 弛豫反铁电薄膜。据介绍，这项工艺技术可以将材料在高温下的特殊结构"冻结"在室温，形成了尺寸不 到3纳米的纳米微畴。这些微小的结构如同一个精密的迷宫，是诱导弛豫反铁电行为，实现高效率储能 的关键。同时，"闪速退火"还让薄膜的"肌理"更加致密均匀，并有效锁住了容易挥发的铅元素，从根源 上减少了材料缺陷，显著降低了漏电流。 利用该工艺制造出的薄膜电容器展现出了卓越的环境适应性。实验表明，经过低至零下196摄氏度（液 氮温度）的极寒，到高达400摄氏度的酷热循环后，其储能密度和效率的衰减很微弱（低于3%）。这意 味着，无论是在冰冷的外太空，还是在火热的地下油气勘探井，它都能稳定可靠地工作。 科研人员研发"闪速退火"工艺一秒"炼"就晶圆级高性能储能薄膜 目前，研究人员已经初步能在2英寸的硅晶圆上成功制备出均匀的高性能薄膜，为芯片级集成储能提供 了具备工业化潜力的解决方案。 近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员团队携手合作者，开发出一种热 处理升降温速率可达每秒1000摄氏度的"闪速退火"工艺，成功制备 ...