中国芯片技术近期取得多项突破性进展，涵盖设计、制造、材料及架构创新等领域，标志着国产半导体 产业链从"单点突破"迈向"体系化创新"。以下是核心进展分类梳理： 一、颠覆性算力芯片：突破物理瓶颈 高精度模拟计算芯片（北京大学） 全球首款24位精度模拟矩阵芯片：基于阻变存储器（RRAM），通过动态误差校准算法将传统模拟计算 精度从8位提升至24位，误差率低于0.1%。 性能表现： 求解128×128矩阵方程时，计算吞吐量达顶级GPU的1000倍以上，能效提升超100倍。 应用于6G通信基站信号处理，仅需3次迭代即可恢复高清图像，误码率与32位数字计算相当。 战略意义：攻克模拟计算"精度低、难扩展"的百年难题，为AI大模型训练、边缘计算提供新路径。 存算一体芯片（清华大学） 全球首颗集成存储、计算与片上学习的忆阻器芯片，能效较传统ASIC提升75倍，突破冯诺依曼架构瓶 颈。 应用潜力：支持硬件端直接训练AI，降低云端依赖。 0:00 ⚙️ 二、核心工艺与材料：打破垄断 光刻与刻蚀技术 1nm离子束刻蚀机：国光量超发布4英寸离子束刻蚀机，精度达0.02纳米，性能较国际主流2nm设备提升 百倍；中微半导体实现1纳米等离子 ...