本次发布的产品包括100V GaN FETs、650V GaN器件以及高压SiC(碳化硅)产品。管理层表示，这些新 品旨在显著提升能效表现、电力密度与运行性能，为AI数据中心提供突破性电源解决方案。 英伟达800VDC架构是一种适配AI工厂的全新电力分配系统，能够支持大规模、高性能的AI工作负载。 这一架构直接为IT机柜供电，用于驱动包括Rubin Ultra在内的AI基础设施。纳微半导体推出的100V GaN FET产品在效率、电力密度及散热管理方面优势明显；而650V GaN组合则通过整合驱动、控制、 感测与保护功能的GaNSafe电源IC，有助英伟达加速AI工厂从传统架构向800VDC迁移。 周一，纳微半导体(NVTS.US)股价走高，截至发稿，该股涨超16%，报17.1美元。消息面上，公司此前 宣布推出一系列专为英伟达(NVDA.US)800VDC AI工厂电力架构打造的全新功率半导体产品。 ...

TORRANCE, Calif., Oct. 13, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in next-generation GaNFast™ gallium nitride (GaN) and GeneSiC™ silicon carbide (SiC) power semiconductors, announced progress in its development of advanced medium and high 800 VDC voltage GaN and SiC power devices to enable the 800 VDC power architecture announced by NVIDIA for next-generation AI factory computing platforms. With the emergence of the ‘AI factory’, a new class of data center purpose ...