此次九峰山实验室依托国产MOCVD设备与磷化铟衬底技术，首次开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器 和FP结构激光器的外延生长工艺，为实现6英寸磷化铟光芯片的规模化制备打下了基础。 国内半导体行业大尺寸磷化铟（InP）材料制备领域取得重大突破。 8月19日，湖北九峰山实验室公布，近日，该实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构 激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。 据了解，作为光通信、量子计算等领域的核心材料，磷化铟材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技 术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。 目前，全球光电子产业高速发展，光通信、激光雷达、太赫兹通信等领域对磷化铟的需求呈现爆发式增 长。据Yole预测，磷化铟光电子市场规模2027年将达56亿美元，年复合增长率达14%。 业内人士认为，九峰山实验室的6英寸InP工艺不仅填补了国内空白，更以关键性能的国际领先性标志着 中国在高端化合物半导体领域已进入全球第一梯队，并推动国产光芯片的成本下降。 九峰山实验室位于湖北武汉，致力于化合物半导体研发，打造共享科研平台。今年3月，九峰山实验室 ...