如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译zdnet，谢谢。 三星电子正专注于"Fluxless"作为高堆栈HBM（高带宽存储器）的一种新型键合技术。据了解，他们 近期已开始对主要合作伙伴及相关设备进行演示测试。 尽管"无助焊剂"技术仍被评估为处于研发（R&D）水平，但业界正在评估它正在被认真考虑作为下一 代HBM键合技术的潜在候选技术。 据业内人士4日透露，三星电子正在审查包括无助焊剂在内的各种方法作为 下一代HBM键合技术。为 此，三星电子今年年初与主要海外合作伙伴开始了无助焊剂键合的初步评估工作。应用的是HBM4 （第六代），目标是在今年年底完成评估。 据悉，三星电子注意到了这些优势，一直在密切研究无助焊剂键合的应用。 知情人士解释道，"三星电子最初计划首先将无助焊剂键合引入逻辑半导体，但由于其将投资重点放 在内存上，因此据了解，它首先开始评估其在 HBM4 上的应用"，并补充道，"目标是在今年年底前 无助焊剂键合，易于实现高层、高密度HBM 目前，三星电子正在采用"NCF（非导电粘合膜）"作为HBM制造的后处理技术。 HBM 是一种垂直堆叠多个 DRAM 以提高数据处理性能的存储器半导体 ...