业内人士向记者表示，存储晶圆的价格波动与供应强相关，在原厂投资重心调整以及下游需求助推下， 近期DDR4价格大幅上涨。 "我们没有囤到DDR4的货，等反应过来，手上货都清理得差不多了。"对于当前存储市场DDR4上涨行 情，一位深圳本土存储销售代理商叹息道，仅间隔两周，DDR4颗粒价格翻倍，甚至部分型号价格已经 追平新一代DDR5。 在存储晶圆原厂陆续宣布减产计划背景下，近期存储市场加速回暖，以DDR4为代表的内存条领涨市 场，在传统的IC淡季急速升温。证券时报记者探访深圳华强北电子市场发现，商户普遍反映以DDR4为 代表的内存条价格在近期大幅上涨，甚至出现"倒挂"，反超DDR5内存条价格，并且大力推荐搭载国产 颗粒的内存品牌。 DDR4与DDR5价格"倒挂" DDR4是指第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器，是目前主流的PC和服务器内存标准之一，单 芯片容量可达16GB；市场上新一代DDR5单芯片容量可达64GB，并且具有更快速度与带宽、更低功 耗，但是近期却出现新一代产品被上一代产品价格反超的"倒挂"现象。 有存储代理商向记者表示，受原厂减产影响，近两周部分型号DDR4颗粒价格从3美元飙升到6—8美 元 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变 得非常重要。 HBM5 结构采用浸入式冷却，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存 在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入 ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月24日消息， 韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期 的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。 数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。 作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。 2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。 此前，三星电子在DRAM领域占据30多年的霸主地位，但在2024年Q4其营业利润首次低于SK海力士。 Counterpoint Research首尔研究主管MS Hwang表示："这对三星来说是又一个警钟。"他表示，SK海力士在用于AI的HBM芯片方面的领 先地位，可能为该公司同期的营业利润贡献了更大的份额。 SK海力士表示："2025年Q1，受人工智能开发竞争加剧和库存补充需求等影响， ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 trendforce ，谢谢。 随着HBM竞争的升温，TC（热压）键合机（利用热压键合将芯片堆叠到已加工的晶圆上）的需求 旺盛。存储器巨头们正争相锁定订单。据《今日财经》报道，韩美半导体正受到海外投资者的青 睐，尤其是美光公司和中国存储器公司。 据《朝鲜日报》报道，韩美半导体在 HBM3E TC 键合机市场占据主导地位，占有 90% 的份额。 值得注意的是，《今日金钱》的报告显示，2025年第一季度，韩美近90%的销售额来自海外，其 中美国内存巨头美光公司发挥了关键作用。据报道，美光公司今年将其140亿美元的资本支出中的 大部分投入到HBM的生产、封装、研发和测试中。 据The Elec报道，韩美半导体最近从美光公司获得了约 50 台 TC 键合机的大订单，这将比 2024 年向这家美国内存制造商出货的数十台数量要大得多。 据《今日金钱》报道，美光公司今年1月在新加坡动工兴建了一条封装生产线，同时还在美国爱达 荷州、日本广岛和台湾地区建设HBM生产设施。报道还称，该公司的目标是将其HBM市场份额提 升至个位数，以匹配其20-25%的DRAM市场份额。 ...

去年第一季度，SK海力士的销售额达12.4296万亿韩元，营业利润达2.886万亿韩元。短短一年时 间，销售额飙升约40%，营业利润飙升超过140%，超过了2018年第一季度创下的4.3673万亿韩元 的营业利润纪录。 如果SK海力士第一季度业绩确认属实，其总利润规模将超过三星电子。4月8日，三星电子公布第 一季度临时营业利润为6.6万亿韩元。据悉，三星电子半导体（DS）部门的内存部门第一季度营业 利润预计将达到约3.5万亿韩元。一位业内人士表示："SK海力士第一季度的DRAM销售额已超过 三星电子，并且很有可能在第二季度和第三季度保持领先地位。" SK海力士第一季度的强劲表现无疑得益于其HBM（高带宽存储器）的竞争力。HBM是一种堆叠多 个DRAM的AI存储器。该公司通过与AI半导体领域的领军企业NVIDIA的密切合作，在该领域保 持着主导地位。尽管存在特朗普政府对NVIDIA芯片出口中国的限制等地缘政治问题，SK海力士 的DRAM和HBM生产线仍在满负荷运转。 考虑到第一季度业绩良好以及HBM需求的持续增长，SK海力士计划积极扩大其设施投资。据业内 人士透露，SK海力士计划将用于尖端HBM3E的10纳米级 ...

尽管宏观经济不确定性加剧，但台湾晶圆代工厂台积电仍维持其先进封装投资计划。这是基于中长 期内AI半导体需求将保持强劲的预期而制定的战略。 有评估和预测称，各大存储器公司的HBM （高带宽存储器）业务也 缓解了市场对供应过剩的担忧。 据业界21日消息称，由于全球大型科技公司持续投资AI加速器，预计今年三星电子、SK海力士等 厂商的HBM需求仍将保持强劲。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自zdnet，谢谢。 此前，台积电17日在第一季度财报电话会议上宣布，今年资本支出（CapEx）为380亿美元至420 亿美元。近期，受中国DeepSearch等低成本、高效率AI模型的出现以及美国的关税压力等影响， AI基础设施投资的不确定性有所增加，但去年宣布的计划仍得以维持。 台 积 电 解 释 称 ， " 虽 然 情 况 较 之 前 有 所 改 善 ， 但 AI 需 求 仍 然 超 过 供 应 ， 需 要 大 幅 扩 大 设 施 产 能"，"我们没有观察到客户在管控和地缘政治问题方面的行为有任何变化，因此我们将维持现有的 需求"。 台积电预计，2024年至2029年间，AI加速器相关销售额的复合年 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 综合自 zdnet ，谢谢。 SK海力士强调，下一代HBM（高带宽存储器）的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面，与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天，副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务：带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高，性能越好。要增加带宽，通常需要增加 I/O（输入/输 出端口）的数量。事实上，对于 HBM4（第 6 代），I/O 数量与 HBM3E（第 5 代）相比增加了一 倍，达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽，有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O，"该副 总裁解释道。 "但是，仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事，因此需要进行一些工作，例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此，下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说，功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片，负责堆叠 DRAM 的核心 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 zdnet ，谢谢。 SK海力士强调，下一代HBM（高带宽存储器）的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面，与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天，副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务：带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高，性能越好。要增加带宽，通常需要增加 I/O（输入/ 输出端口）的数量。事实上，对于 HBM4（第 6 代），I/O 数量与 HBM3E（第 5 代）相比增加 了一倍，达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽，有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O，"该副 总裁解释道。 "但是，仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事，因此需要进行一些工作，例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此，下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说，功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片，负责堆叠 DRAM 的核心 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译zdnet，谢谢。 三星电子正专注于"Fluxless"作为高堆栈HBM（高带宽存储器）的一种新型键合技术。据了解，他们 近期已开始对主要合作伙伴及相关设备进行演示测试。 尽管"无助焊剂"技术仍被评估为处于研发（R&D）水平，但业界正在评估它正在被认真考虑作为下一 代HBM键合技术的潜在候选技术。 据业内人士4日透露，三星电子正在审查包括无助焊剂在内的各种方法作为 下一代HBM键合技术。为 此，三星电子今年年初与主要海外合作伙伴开始了无助焊剂键合的初步评估工作。应用的是HBM4 （第六代），目标是在今年年底完成评估。 据悉，三星电子注意到了这些优势，一直在密切研究无助焊剂键合的应用。 知情人士解释道，"三星电子最初计划首先将无助焊剂键合引入逻辑半导体，但由于其将投资重点放 在内存上，因此据了解，它首先开始评估其在 HBM4 上的应用"，并补充道，"目标是在今年年底前 无助焊剂键合，易于实现高层、高密度HBM 目前，三星电子正在采用"NCF（非导电粘合膜）"作为HBM制造的后处理技术。 HBM 是一种垂直堆叠多个 DRAM 以提高数据处理性能的存储器半导体 ...

DeepSeek 的大语言模型（LLM）因其在性能上接近 ChatGPT ，但成本却大幅降低而受到关注。市 场的即时反应褒贬不一。虽然数据训练成本，比如数据标注和归类等方面的成本可能没有体现出 来，而这部分成本由政府支持，但 DeepSeek 在训练效率和低成本方面的优势依然十分明显。 DeepSeek 能否助力中国芯片制造？ 中国的存储芯片或已具备成本竞争力 ： 假设中国政府对构成总成本很大一部分的固定成本提供支持 ，那么与同行相比，中国已能实现有竞争力的成本。例如，2024 年第一季度 DRAM （动态随机存 取存储器）每 Gb （ 千兆字节 ）的价格为 $0.34 ，此时高价的 HBM （高带宽存储器）对平均售价 的影响较小。而韩国 DRAM 的总成本大约为售价的 67% ，约为 $0.23 ，在不计固定成本的情况 下，中国的成本可能低至 $0.20 。（不过，中国的固定成本远高于韩国。） 高效的软件为低端硬件打开市场： 中国的策略是通过规模优势弥补与竞争对手在性能上的差距。华 为最新的 GPU —— Ascend 920 支持 HBM2 和 HBM2e ，而这些对于行业同行来说已是两年前的标 准，并未 ...