Ni₄W

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一种降低芯片功耗的材料
半导体行业观察· 2025-07-19 03:21
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 来源:内容来自 semiconductor-digest,谢谢 。 明尼苏达大学双城分校的研究为一种可以使计算机内存更快、更节能的材料提供了新的见解。 在这项新研究中,该团队展示了一种更有效的方法,利用一种名为Ni₄W(镍和钨的组合)的材料来控制微型电子设备中的 磁化。研究团队发现,这种低对称性材料能够产生强大的自旋轨道扭矩(SOT),这是下一代存储器和逻辑技术中操控磁 性的关键机制。 "Ni₄W 降低了写入数据的功耗,有可能显著降低电子设备的能耗,"该论文的资深作者、明尼苏达大学双城分校电气与计 算机工程系 (ECE) 杰出麦克奈特教授兼罗伯特 F. 哈特曼主席王建平 (Jian-Ping Wang) 表示。 这项技术可以帮助减少智能手机和数据中心等设备的电力消耗,使未来的电子产品更加智能、更加可持续。 "与传统材料不同,Ni₄W 可以在多个方向上产生自旋电流,无需外部磁场即可实现磁态的'无场'切换。我们观察到 Ni₄W 无论是单独使用还是与钨层叠时,都具有较高的自旋场效率和多方向性,这表明其在低功耗、高速自旋电子器件中具有巨 大的应用潜力。"王教授团队五年级 ...