这是先进封装领域增长最快的细分市场，Yole Group 预计混合键合设备在 2025 年至 2030 年间 将以 21% 的复合年增长率增长。在人工智能、高性能计算和其他基于芯片的架构的强劲需求推动 下，混合键合能够实现芯片之间的高带宽互连，且信号损耗可忽略不计。 混合键合技术已在一些高端应用中得到应用，但仍需进一步改进键合界面的质量，使键合铜互连的 性能如同在同一芯片上制造而成。考虑到需要无颗粒表面、在300mm晶圆上实现纳米级铜凹陷以 及晶圆变形极小以实现晶圆间50nm的对准精度，这无疑是一项艰巨的任务。 即便如此，将目前量产芯片上采用的9µm铜-铜连接（周围环绕绝缘介质）的混合键合工艺，扩展 到2µm甚至更小，似乎可以通过晶圆对晶圆或芯片对晶圆的混合键合来实现。这始终是所有领先代 工厂发展路线图上的重点方向。 混合键合技术最初是为了提高CMOS图像传感器的亮度而提出的巧妙解决方案。如今，它正在推动 高性能计算（HPC）的SRAM/处理器堆叠和多层3D NAND器件的突破性发展，并有望在未来实现 更紧凑的HBM模块、3D DRAM和物联网设备。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 半导体制造的未来 ...