互补型场效应晶体管 (CFET：COMPLEMENTARY FET ) 器件架构有望在逻辑技术路线图中取代环栅 (GAA) 纳米片晶体管。在 CFET 器件中，n 型和 p 型 MOS 晶体管堆叠在一起，首次消除了标准单元高度中 n-p 间距的限制。因此，如果能与先进的晶体管接触和供电技术相结合，CFET 器件架构有望大幅缩 小逻辑标准单元尺寸。 在所有可能的集成流程中，单片CFET (mCFET：monolithic CFET) 被认为是干扰最小的，它能以最快的速度将CFET引入到符合行业实际尺寸的器件中。 采用单片集成，具有共用顶部和底部栅极的垂直器件结构可以在一系列工艺步骤中完成图案化和加工。 垂直堆叠层带来了一些挑战，需要CFET专用模块来实现堆叠横截面关键部分的垂直隔离。例如，中间介质隔离 (MDI) 模块可以提供顶部和底部栅极之间 的隔离。这使得可以为顶部和底部器件设置不同的阈值电压。 近年来，在展示300mm mCFET集成流程的关键构建模块方面取得了显著进展。在2024年VLSI大会上，imec的研究人员报告了一种带有MDI模块的mCFET 器件，该器件与内部间隔层兼容——内部间隔层是一种纳米 ...