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亚微米混合键合
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芯片制造,将被改写
半导体行业观察· 2025-08-25 01:46
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 来源 :内容 编译自 semienginerring 。 混合键合已投入生产多年,其成熟的流程能够使用 10µm 互连实现稳定的良率。在这种规模下,工艺 可以容忍数百纳米的套刻偏差、晶圆翘曲度的细微差异以及与互连高度相当的颗粒尺寸,而不会造成 灾难性的影响。混合键合与光学计量、现有的 CMP 工艺以及先进的工艺控制兼容。 然而,当堆叠器件的键合工艺扩展到 5µm 间距时,工艺窗口会缩小到两位数纳米的公差。颗粒尺寸 限制急剧缩小,局部表面形貌必须精确控制,键合过程中即使是轻微的热漂移或机械漂移也可能会系 统性地影响良率。现有的检测方法开始达到衍射极限,校正回路必须实时运行,并且设计必须从一开 始就考虑键合约束。 Lam Research高级副总裁 Vahid Vahedi在 ITF World 的一次演讲中表示:"解决方案领域正变得非 常非常具有挑战性,我们正处于一个关键时刻,单靠人类的力量无法实现所需的创新。最先进的工具 在反应堆上拥有足够多的旋钮,可以提供 10 到 18 个独特的配方,但如果你是一名工艺工程师,想 要调整这些配方,你该如何找到合适的方案呢?" ...