如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ IEEE IEDM 会议由 IEEE 电子器件学会主办，是全球规模最大、最具影响力的论坛，旨在展 示晶体管及相关微纳电子器件领域的突破性进展。 在第 70 届 IEEE IEDM 会议上，他们以"塑造未来的半导体技术"分享了芯片的未来技术。我 们摘录如下，以飨读者。 先进的逻辑技术 基于纳米片的晶体管以及由纳米片构建的3D互补场效应晶体管 (CFET) 是延续摩尔定律微缩的关 键，因为现有的FinFET架构正在达到其性能极限。纳米片是一种环栅 (GAA) 晶体管架构，其中 硅堆叠的沟道完全被栅极包围。它们比FinFET具有更好的静电控制、相对较高的驱动电流和可变 的宽度。而CFET是高度集成的3D设计，其中n-FET和p-FET纳米片相互堆叠。这些堆叠器件可以 单片构建（在同一晶圆上），也可以顺序构建（在单独的晶圆上构建，然后进行转移和集成）。 堆叠器件本质上使晶体管密度翻倍，而无需增加器件尺寸，从而实现更强大的功能，并提高功率效 率和性能。在 IEDM 2024 上，多篇论文推动了以下领域的最前沿研究： 一、台积电全新业界领先的 2 纳米 CMOS 逻辑平台 台积电 ...