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磷化铟,异军突起
半导体行业观察· 2026-01-19 01:54
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 AI引爆全球新一波科技浪潮,并将光通讯产业引领至崭新的材料革命时代,磷化铟(Inp)因具备直 接能隙、极高电子迁移率以及高耐热性与抗幅射等三大特性,变成为AI市场新宠儿。 业界分析,相较传统的矽或砷化镓,磷化铟更适合用于AI伺服器中的光通讯传输,主要因为磷化铟具 备直接能隙的特性,意即可将电能转化为光能,这也是光通讯的基础特性,且磷化铟的电光转换效率 高,能让伺服器功耗进一步下降,缓解AI数据中心耗电量大的问题。 其次,磷化铟具有极高电子迁移率的优势,电子移动速度极快,可实现高速传输,例如800G、1.6T 等高速传输规格,此特性有助于提升AI数据中心在接收资讯与反馈资讯的效率,强化终端用户的使用 者体验。 *免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该 观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。 以磷化铟为基版所衍生的高速电子元件,其速度表现是目前人类所能制作出元件的极致,主要应用场 域在次毫米波(sub-mm wave;30~300 GHz)的频段。但是长久以来一直是个小 ...