设计方面也随之发展，以跟上光刻技术改进带来的分辨率提升。后续技术节点对间距微缩的要求超 过 了 光 刻 技 术 的 进 步 。 因 此 ， 先 进 逻 辑 芯 片 的 设 计 从 2-D Manhattan 布 局 转 向 关 键 层 中 的 1-D Manhattan布局（图1）。在基于2-D Manhattan的设计中，矩形结构用于沿垂直和水平方向对齐。 相比之下，关键层中的一维设计则将结构沿每层垂直或水平方向对齐。虽然1-D Manhattan布局提 供了密集的表示，但它也有一个缺点：当从一条金属线到相邻金属线进行电气连接时，必须实现一 个包含大量过孔的额外层——这增加了晶圆成本和电流的路径长度。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 众所周知，制造用于先进逻辑应用的芯片始于电路设计。该过程发生在不同的层面：从晶体 管到标准单元、布局布线，直至系统设计层。构成电路设计版图的图案随后被写入光掩模 上。如今，这由利用电子束的掩模写入设备完成，例如可变形状束 (VSB：variable shaped beam) 掩模写入机和多光束掩模写入机 (MBMW：multi-beam mask writer)。 接 ...