研发中心将立足香港，面向全球，专注于成为三代功率半导体领域的技术创新高地。研发中心将聚焦碳 化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术，构建从材料研究到系统应用的完整研发体系，推动功率 电子技术的革新，服务全球能源转型与绿色产业发展。 格隆汇1月6日丨中联发展控股(00264.HK)宣布，于2026年1月6日，公司与铂威有限公司(「合作方」)订 立一份不具法律约束力的谅解备忘录，据此，公司拟与合作方建立战略合作夥伴关系，共同分享资源及 探讨在香港建立先进功率半导体技术研发中心。 研发中心将围绕四大核心方向开展系统化研发：一是产品设计，涵盖高压高频芯片结构创新、专用器件 开发和先进仿真建模；二是测试与可靠性，建立国际标准测试体系，深入研究失效机理与应用场景验 证；三是应用开发，针对新能源汽车、可再生能源等关键领域，提供涵盖拓扑、驱动、热管理的完整解 决方案；四是先进制造技术，着力攻关外延生长、关键工艺优化与智能制造成本控制，构建从设计到量 产的完整技术链。 ...

本集团一直积极寻求扩展本集团的业务，以实现其业务多元化并扩展至具有增长潜力的领域。董事会认 为，备忘录及其项下拟进行的合作项目与本公司的发展策略一致，其条款属公平合理，且合作项目符合 本公司及股东的整体利益，为本公司股东创造可持续价值。 龙腾半导体及其附属公司为主要从事研发设计、晶圆制造、模组封装、测试应用为一体的功率半导体 IDM企业，专注提供高效、可靠、高性价比的功率器件及系统解决方案。 订约方拟透过合作项目，共同成立研究团队，在合法、合规的前提下进行商业合作，实现优势资源共享 互利，发挥龙腾半导体在功率半导体产品设计、工艺开发、生产运营等多方面经验优势来共同实现合作 项目。 中联发展控股(00264)发布公告，于2026年1月6日，本公司与铂威有限公司(合作方)订立一份不具法律约 束力的谅解备忘录(备忘录)，本公司拟与合作方建立战略合作伙伴关系，共同分享资源及探讨在香港建 立先进功率半导体技术研发中心(合作项目)。 研发中心将立足香港，面向全球，专注于成为三代功率半导体领域的技术创新高地。研发中心将聚焦碳 化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术，构建从材料研究到系统应用的完整研发体系，推动功 ...