在记者会上致辞的Rapidus社长小池淳义（7月，北海道千岁市） Rapidus最早将于2029年开始生产1.4纳米电路线宽半导体。2纳米产品方面，力争2027年度开始量产。 Rapidus难以在规模上与台积电抗衡，想要增加大客户，需要展示生产实绩…… 力争实现最尖端半导体国产化的日本Rapidus将于2027年度在北海道千岁市开工建设第二座 工厂。最早于2029年开始生产全球最尖端的1.4纳米电路线宽半导体。在半导体微细化难度 日益加大的背景下，如果该公司能够展现出尖端技术开发实力，将有助于开拓客户。包括2纳 米量产技术开发在内，Rapidus需要跨越很高的门槛。 该公司此前一直在暗中推进1.4纳米技术的研发。还与欧美半导体研究机构开展了合作。社长 小池淳义此前就1.4纳米技术表示："如果不在量产2纳米产品之后大约两年半至三年内大力开 发新一代技术，就无法在全球竞争中取胜"。 要摆脱对政府的依赖并使1.4纳米产品开发步入正轨，Rapidus必须完成当前推进的2纳米产 品的量产研发。2纳米产品方面，Rapidus的目标是2027年度开始量产。 2025年4月在北海道千岁市投产的工厂于7月确认了半导体元件的电气 ...